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沟槽式功率MOS半导体器件

被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN202021211707.4
申请日：
2020-06-28
公开(公告)号：
CN213366602U
公开(公告)日：
2021-06-04
发明(设计)人：
陈译 陆佳顺 杨洁雯
申请人：
申请人地址：
215000 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城NW20幢501室
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L29423
代理机构：
苏州创元专利商标事务所有限公司 32103
代理人：
马明渡;王健
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-06-04 授权 授权
共 50 条
[1]
深沟槽功率MOS半导体器件 [P]. 
黄彦智 ;
俞仲威 .
中国专利 :CN213583800U ,2021-06-29
[2]
沟槽式功率MOS半导体器件 [P]. 
黄彦智 ;
俞仲威 .
中国专利 :CN213546321U ,2021-06-25
[3]
沟槽式功率MOS半导体器件 [P]. 
吴岩 ;
茅寅松 .
中国专利 :CN220474612U ,2024-02-09
[4]
沟槽功率半导体器件 [P]. 
朱袁正 ;
周锦程 .
中国专利 :CN213150783U ,2021-05-07
[5]
垂直功率MOS半导体器件 [P]. 
黄彦智 ;
俞仲威 .
中国专利 :CN213583801U ,2021-06-29
[6]
MOS型功率半导体器件 [P]. 
黄彦智 ;
俞仲威 .
中国专利 :CN213988891U ,2021-08-17
[7]
功率MOS半导体器件 [P]. 
黄彦智 ;
陆佳顺 ;
杨洁雯 .
中国专利 :CN208111442U ,2018-11-16
[8]
垂直功率MOS半导体器件 [P]. 
陈译 ;
陆佳顺 ;
杨洁雯 .
中国专利 :CN212342637U ,2021-01-12
[9]
一种沟槽式高功率MOS半导体器件 [P]. 
陈智 .
中国专利 :CN215955258U ,2022-03-04
[10]
MOS功率半导体器件 [P]. 
黄彦智 ;
陆佳顺 ;
杨洁雯 .
中国专利 :CN208385415U ,2019-01-15
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