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沟槽式功率MOS半导体器件
被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN202321236776.4
申请日：
2023-05-22
公开(公告)号：
CN220474612U
公开(公告)日：
2024-02-09
发明(设计)人：
吴岩
茅寅松
申请人：
上海安导电子科技有限公司
申请人地址：
200000 上海市宝山区一二八纪念路968号1205-A175室
IPC主分类号：
H01L23/10
IPC分类号：
H01L23/02
H01L23/49
代理机构：
代理人：
法律状态：
授权
国省代码：
上海市
市辖区
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-02-09 | 授权 | 授权 |