一种垂直功率MOS半导体器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202122870089.5

申请日：

2021-11-19

公开(公告)号：

CN216120275U

公开(公告)日：

2022-03-22

发明(设计)人：

刘志强龙立王来营邹春平刘盛想

申请人：

申请人地址：

523000 广东省东莞市南城街道黄金路1号东莞天安数码城B2栋404

IPC主分类号：

H01L2332

IPC分类号：

H01L2302 H01L2316

代理机构：

东莞市卓易专利代理事务所(普通合伙) 44777

代理人：

杨国锋

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-22	授权	授权

共 50 条

[1]

垂直功率MOS半导体器件 [P].

陈译 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN212342637U ,2021-01-12

[2]

垂直功率MOS半导体器件 [P].

黄彦智 ;

俞仲威 .

中国专利 :CN213583801U ,2021-06-29

[3]

一种垂直功率MOS半导体器件 [P].

何海洋 ;

胡健峰 ;

彭强 ;

梁金 .

中国专利 :CN214315997U ,2021-09-28

[4]

功率MOS半导体器件 [P].

张开航 ;

马云洋 .

中国专利 :CN212517177U ,2021-02-09

[5]

一种垂直功率MOS半导体组件 [P].

石现瑛 .

中国专利 :CN216528865U ,2022-05-13

[6]

功率MOS半导体器件 [P].

黄彦智 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN208111442U ,2018-11-16

[7]

MOS功率半导体器件 [P].

黄彦智 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN208385415U ,2019-01-15

[8]

垂直结构MOS半导体器件 [P].

陈译 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN213366604U ,2021-06-04

[9]

沟槽式功率MOS半导体器件 [P].

吴岩 ;

茅寅松 .

中国专利 :CN220474612U ,2024-02-09

[10]

沟槽式功率MOS半导体器件 [P].

黄彦智 ;

俞仲威 .

中国专利 :CN213546321U ,2021-06-25

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