一种垂直功率MOS半导体组件

被引：0

申请号：

CN202121987156.5

申请日：

2021-08-23

公开(公告)号：

CN216528865U

公开(公告)日：

2022-05-13

发明(设计)人：

石现瑛

申请人：

申请人地址：

233700 安徽省蚌埠市固镇县新马桥镇蚌埠铜陵现代产业园区中小企业产业园

IPC主分类号：

H01L23367

IPC分类号：

H01L2340 H01L2978

代理机构：

合肥市科融知识产权代理事务所(普通合伙) 34126

代理人：

王家培

法律状态：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-13	授权	授权

共 50 条

[1]

一种垂直功率MOS半导体器件 [P].

刘志强 ;

龙立 ;

王来营 ;

邹春平 ;

刘盛想 .

中国专利 :CN216120275U ,2022-03-22

[2]

垂直功率MOS半导体器件 [P].

陈译 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN212342637U ,2021-01-12

[3]

垂直功率MOS半导体器件 [P].

黄彦智 ;

俞仲威 .

中国专利 :CN213583801U ,2021-06-29

[4]

一种垂直功率MOS半导体器件 [P].

何海洋 ;

胡健峰 ;

彭强 ;

梁金 .

中国专利 :CN214315997U ,2021-09-28

[5]

一种功率半导体组件 [P].

张正义 ;

张海泉 ;

王晓宝 ;

赵善麒 .

中国专利 :CN209312751U ,2019-08-27

[6]

一种沟槽式功率MOS半导体 [P].

刘志强 ;

龙立 ;

王来营 ;

邹春平 ;

刘盛想 .

中国专利 :CN216120307U ,2022-03-22

[7]

功率MOS半导体器件 [P].

张开航 ;

马云洋 .

中国专利 :CN212517177U ,2021-02-09

[8]

一种MOS功率半导体器件 [P].

许一力 ;

刘倩倩 .

中国专利 :CN118888593A ,2024-11-01

[9]

沟槽式功率MOS半导体器件 [P].

吴岩 ;

茅寅松 .

中国专利 :CN220474612U ,2024-02-09

[10]

一种半导体组件 [P].

陈建民 ;

陈建卫 ;

陈磊 ;

陈燕青 ;

郭晶 ;

惠小青 ;

刘栓红 ;

赵丽萍 ;

张林冲 ;

张甜甜 ;

张文涛 .

中国专利 :CN201503859U ,2010-06-09

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