屏蔽栅功率半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010490025.X

申请日：

2020-06-02

公开(公告)号：

CN111584622B

公开(公告)日：

2024-09-06

发明(设计)人：

朱袁正周锦程杨卓刘晶晶叶鹏

申请人：

无锡新洁能股份有限公司

申请人地址：

214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号（与华清路交叉口）无锡（滨湖）国家信息传感中心-B1楼东侧2楼

IPC主分类号：

H01L29/423

IPC分类号：

H01L29/78

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104

代理人：

曹祖良;涂三民

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-09-06	授权	授权

共 50 条

[1]

屏蔽栅功率半导体器件 [P].

朱袁正 ;

周锦程 ;

杨卓 ;

刘晶晶 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN111584622A ,2020-08-25

[2]

屏蔽栅功率半导体器件 [P].

朱袁正 ;

周锦程 ;

杨卓 ;

刘晶晶 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN212033029U ,2020-11-27

[3]

功率半导体器件 [P].

高秀秀 ;

柯攀 ;

戴小平 .

中国专利 :CN216250740U ,2022-04-08

[4]

屏蔽栅功率半导体器件及其制备方法 [P].

曹静静 ;

宋彦松 ;

李玲悦 ;

彭明亮 ;

王博龙 ;

纪开勋 .

中国专利 :CN119866046A ,2025-04-22

[5]

沟槽栅功率半导体器件及其制作方法 [P].

罗海辉 ;

姚尧 ;

肖强 ;

肖海波 ;

覃荣震 ;

谭灿健 .

中国专利 :CN113066861A ,2021-07-02

[6]

沟槽功率半导体器件 [P].

朱袁正 ;

周锦程 .

中国专利 :CN213150783U ,2021-05-07

[7]

一种沟槽栅超结功率半导体器件 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

周锦程 ;

杨卓 .

中国专利 :CN216597595U ,2022-05-24

[8]

MOS型功率半导体器件 [P].

黄彦智 ;

俞仲威 .

中国专利 :CN213988891U ,2021-08-17

[9]

一种屏蔽栅功率半导体器件及其制作方法 [P].

刘科科 ;

钟义栋 ;

董云 .

中国专利 :CN117334579B ,2024-11-01

[10]

一种屏蔽栅功率半导体器件及其制作方法 [P].

刘科科 ;

钟义栋 ;

董云 .

中国专利 :CN117334579A ,2024-01-02

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