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一种屏蔽栅功率半导体器件及其制作方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311392824.3
申请日：
2023-10-25
公开(公告)号：
CN117334579A
公开(公告)日：
2024-01-02
发明(设计)人：
刘科科
钟义栋
董云
申请人：
中晶新源（上海）半导体有限公司
申请人地址：
201306 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区海洋一路333号1号楼、2号楼
IPC主分类号：
H01L21/336
IPC分类号：
H01L29/78
H01L29/423
代理机构：
代理人：
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-01-02 | 公开 | 公开 |
| 2024-11-01 | 授权 | 授权 |
| 2025-01-24 | 专利权质押登记、变更及注销 | 专利权质押登记IPC(主分类):H01L 21/336登记号:Y2025310000028登记日:20250108出质人:中晶新源（上海）半导体有限公司质权人:上海银行股份有限公司上海自贸试验区分行发明名称:一种屏蔽栅功率半导体器件及其制作方法申请日:20231025授权公告日:20241101 |
| 2024-01-19 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/336申请日:20231025 |