共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
一种改善屏蔽栅功率半导体器件HDP填充的工艺方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311442621.0
申请日：
2023-11-01
公开(公告)号：
CN117457499A
公开(公告)日：
2024-01-26
发明(设计)人：
刘科科
钟义栋
董云
申请人：
中晶新源（上海）半导体有限公司
申请人地址：
201306 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区海洋一路333号1号楼、2号楼
IPC主分类号：
H01L21/336
IPC分类号：
H01L29/78
H01L29/423
H01L29/06
H01L21/02
代理机构：
代理人：
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-02-13 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/336申请日:20231101 |
| 2024-01-26 | 公开 | 公开 |
| 2025-04-22 | 发明专利申请公布后的驳回 | 发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):H01L 21/336申请公布日:20240126 |