平面栅超结功率器件

被引：0

申请号：

CN202123268779.X

申请日：

2021-12-23

公开(公告)号：

CN216793693U

公开(公告)日：

2022-06-21

发明(设计)人：

朱袁正叶鹏周锦程李宗清

申请人：

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区电腾路6号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104

代理人：

涂三民;曹祖良

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-21	授权	授权

共 50 条

[1]

快恢复平面栅超结功率器件 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

周锦程 ;

李宗清 .

中国专利 :CN216597594U ,2022-05-24

[2]

一种沟槽栅超结功率半导体器件 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

周锦程 ;

杨卓 .

中国专利 :CN216597595U ,2022-05-24

[3]

一种平面栅超结MOSFET器件 [P].

白玉明 ;

章秀芝 ;

张海涛 .

中国专利 :CN206558510U ,2017-10-13

[4]

一种降低栅极电荷的平面栅功率器件 [P].

薛璐 ;

何军 ;

张海涛 .

中国专利 :CN208489199U ,2019-02-12

[5]

高可靠性超结功率器件 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

周锦程 ;

李宗清 .

中国专利 :CN216597593U ,2022-05-24

[6]

超结SGT MOS功率半导体器件结构 [P].

廖巍 ;

张海涛 .

中国专利 :CN213184293U ,2021-05-11

[7]

超结功率器件 [P].

薛忠营 ;

徐大朋 ;

柴展 ;

罗杰馨 .

中国专利 :CN210040204U ,2020-02-07

[8]

平面栅功率器件结构 [P].

杨彦涛 ;

邵凯 ;

向璐 ;

陈琛 ;

吕焕秀 .

中国专利 :CN205752104U ,2016-11-30

[9]

半导体超结功率器件 [P].

袁愿林 ;

刘磊 ;

刘伟 ;

王睿 .

中国专利 :CN111326585A ,2020-06-23

[10]

超结功率器件的制备方法及超结功率器件 [P].

赵圣哲 .

中国专利 :CN107359120B ,2017-11-17

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