一种降低栅极电荷的平面栅功率器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201821089824.0

申请日：

2018-07-11

公开(公告)号：

CN208489199U

公开(公告)日：

2019-02-12

发明(设计)人：

薛璐何军张海涛

申请人：

申请人地址：

214135 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D2栋四层

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29423 H01L2978

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104

代理人：

曹祖良

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-02-12	授权	授权

共 50 条

[1]

一种低栅‑漏电荷的沟槽功率MOS器件 [P].

袁力鹏 ;

徐吉程 ;

范玮 .

中国专利 :CN206116407U ,2017-04-19

[2]

平面栅超结功率器件 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

周锦程 ;

李宗清 .

中国专利 :CN216793693U ,2022-06-21

[3]

一种屏蔽栅功率MOSFET器件 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

刘晶晶 .

中国专利 :CN208489191U ,2019-02-12

[4]

一种低栅极电荷的超级结功率器件 [P].

丁磊 .

中国专利 :CN210607253U ,2020-05-22

[5]

一种半导体功率器件 [P].

丁磊 ;

侯宏伟 .

中国专利 :CN209626219U ,2019-11-12

[6]

快恢复平面栅超结功率器件 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

周锦程 ;

李宗清 .

中国专利 :CN216597594U ,2022-05-24

[7]

一种平面栅极功率器件及其制造方法 [P].

胡兴正 ;

曹瑞彬 ;

薛璐 .

中国专利 :CN117954479B ,2024-05-28

[8]

一种平面栅极功率器件及其制造方法 [P].

胡兴正 ;

曹瑞彬 ;

薛璐 .

中国专利 :CN117954479A ,2024-04-30

[9]

一种低功耗半导体功率器件 [P].

丁磊 ;

顾挺 .

中国专利 :CN216648319U ,2022-05-31

[10]

低栅极电荷低导通电阻深沟槽功率MOSFET器件 [P].

朱袁正 ;

秦旭光 ;

丁磊 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN202205757U ,2012-04-25

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