学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审
一种平面栅极功率器件及其制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202410355627.2
申请日
:
2024-03-27
公开(公告)号
:
CN117954479B
公开(公告)日
:
2024-05-28
发明(设计)人
:
胡兴正
曹瑞彬
薛璐
申请人
:
南京华瑞微集成电路有限公司
申请人地址
:
210000 江苏省南京市浦口区江浦街道浦滨大道88号
IPC主分类号
:
H01L29/40
IPC分类号
:
H01L21/336
H01L29/78
代理机构
:
南京瑞华腾知识产权代理事务所(普通合伙) 32368
代理人
:
徐冲冲
法律状态
:
公开
国省代码
:
江苏省 南京市
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-04-30
公开
公开
2024-05-17
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/40申请日:20240327
2024-05-28
授权
授权
共 50 条
[1]
一种平面栅极功率器件及其制造方法
[P].
胡兴正
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
南京华瑞微集成电路有限公司
南京华瑞微集成电路有限公司
胡兴正
;
曹瑞彬
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
南京华瑞微集成电路有限公司
南京华瑞微集成电路有限公司
曹瑞彬
;
薛璐
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
南京华瑞微集成电路有限公司
南京华瑞微集成电路有限公司
薛璐
.
中国专利
:CN117954479A
,2024-04-30
[2]
一种降低栅极电荷的平面栅功率器件
[P].
薛璐
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
薛璐
;
何军
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
何军
;
张海涛
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张海涛
.
中国专利
:CN208489199U
,2019-02-12
[3]
一种平面型场控功率器件的制造方法
[P].
陈伟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈伟
.
中国专利
:CN102142375A
,2011-08-03
[4]
平面功率器件及其制造方法
[P].
夏志平
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
夏志平
;
叶青青
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
叶青青
;
陈洪雷
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈洪雷
;
赵志涌
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
赵志涌
;
朱晓彤
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
朱晓彤
.
中国专利
:CN112713194A
,2021-04-27
[5]
一种低栅极电荷深沟槽功率MOS器件及其制造方法
[P].
秦旭光
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
秦旭光
;
殷允超
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
殷允超
.
中国专利
:CN101719516A
,2010-06-02
[6]
一种沟槽平面栅MOSFET器件及其制造方法
[P].
王彩琳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王彩琳
;
孙丞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
孙丞
.
中国专利
:CN101540338A
,2009-09-23
[7]
平面型功率MOS器件及其制造方法
[P].
殷允超
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
殷允超
;
丁磊
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
丁磊
.
中国专利
:CN103779415B
,2014-05-07
[8]
一种低栅极电荷功率器件及其制备方法
[P].
王海峰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王海峰
;
张瑞丽
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张瑞丽
;
石夏雨
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
石夏雨
;
邱涛
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
邱涛
;
陈祖银
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈祖银
.
中国专利
:CN103730506A
,2014-04-16
[9]
沟槽栅功率器件及其制造方法
[P].
李东升
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李东升
.
中国专利
:CN111370463A
,2020-07-03
[10]
一种LDMOS器件及其制造方法
[P].
张博
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
张博
;
令海阳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
令海阳
.
中国专利
:CN118588562A
,2024-09-03
←
1
2
3
4
5
→