一种平面栅极功率器件及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202410355627.2
申请日
2024-03-27
公开(公告)号
CN117954479B
公开(公告)日
2024-05-28
发明(设计)人
胡兴正 曹瑞彬 薛璐
申请人
南京华瑞微集成电路有限公司
申请人地址
210000 江苏省南京市浦口区江浦街道浦滨大道88号
IPC主分类号
H01L29/40
IPC分类号
H01L21/336 H01L29/78
代理机构
南京瑞华腾知识产权代理事务所(普通合伙) 32368
代理人
徐冲冲
法律状态
公开
国省代码
江苏省 南京市
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共 50 条
[1]
一种平面栅极功率器件及其制造方法 [P]. 
胡兴正 ;
曹瑞彬 ;
薛璐 .
中国专利 :CN117954479A ,2024-04-30
[2]
一种降低栅极电荷的平面栅功率器件 [P]. 
薛璐 ;
何军 ;
张海涛 .
中国专利 :CN208489199U ,2019-02-12
[3]
一种平面型场控功率器件的制造方法 [P]. 
陈伟 .
中国专利 :CN102142375A ,2011-08-03
[4]
平面功率器件及其制造方法 [P]. 
夏志平 ;
叶青青 ;
陈洪雷 ;
赵志涌 ;
朱晓彤 .
中国专利 :CN112713194A ,2021-04-27
[5]
一种低栅极电荷深沟槽功率MOS器件及其制造方法 [P]. 
秦旭光 ;
殷允超 .
中国专利 :CN101719516A ,2010-06-02
[6]
一种沟槽平面栅MOSFET器件及其制造方法 [P]. 
王彩琳 ;
孙丞 .
中国专利 :CN101540338A ,2009-09-23
[7]
平面型功率MOS器件及其制造方法 [P]. 
殷允超 ;
丁磊 .
中国专利 :CN103779415B ,2014-05-07
[8]
一种低栅极电荷功率器件及其制备方法 [P]. 
王海峰 ;
张瑞丽 ;
石夏雨 ;
邱涛 ;
陈祖银 .
中国专利 :CN103730506A ,2014-04-16
[9]
沟槽栅功率器件及其制造方法 [P]. 
李东升 .
中国专利 :CN111370463A ,2020-07-03
[10]
一种LDMOS器件及其制造方法 [P]. 
张博 ;
令海阳 .
中国专利 :CN118588562A ,2024-09-03