平面型功率MOS器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410024892.9

申请日：

2014-01-20

公开(公告)号：

CN103779415B

公开(公告)日：

2014-05-07

发明(设计)人：

殷允超丁磊

申请人：

申请人地址：

215612 江苏省苏州市张家港市凤凰镇双龙村张家港凯思半导体有限公司

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L2940 H01L21336

代理机构：

张家港市高松专利事务所(普通合伙) 32209

代理人：

张玉平

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-06-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582739239 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2014100248929 申请日:20140120
2014-05-07	公开	公开
2016-03-02	授权	授权

共 50 条

[1]

平面型功率MOS器件 [P].

殷允超 ;

丁磊 .

中国专利 :CN203721733U ,2014-07-16

[2]

平面型功率MOS器件 [P].

陈伟元 .

中国专利 :CN103280456A ,2013-09-04

[3]

具有超结结构的平面型功率MOSFET器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN102270663B ,2011-12-07

[4]

一种平面型功率MOS器件及其制备方法 [P].

黄汇钦 ;

吴龙江 .

中国专利 :CN115224129B ,2024-05-24

[5]

沟槽功率MOS器件及其制造方法 [P].

吴晶 ;

左燕丽 .

中国专利 :CN103165669A ,2013-06-19

[6]

平面型功率MOS晶体管及其制造方法 [P].

吴亚贞 .

中国专利 :CN102800583A ,2012-11-28

[7]

功率MOSFET器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN102437188A ,2012-05-02

[8]

分离栅功率MOS器件及其制造方法 [P].

王加坤 ;

吴兵 .

中国专利 :CN114156183A ,2022-03-08

[9]

功率MOS器件及其制造方法 [P].

宋金星 ;

谢志平 .

中国专利 :CN110739344A ,2020-01-31

[10]

具有超结结构的平面型功率MOSFET器件 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN202205755U ,2012-04-25

← 1 2 3 4 5 →