平面型功率MOS晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210312744.8

申请日：

2012-08-29

公开(公告)号：

CN102800583A

公开(公告)日：

2012-11-28

发明(设计)人：

吴亚贞

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号

IPC主分类号：

H01L21324

IPC分类号：

H01L21336 H01L2978

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

郑玮

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-11-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101588056532 IPC(主分类):H01L 21/324 专利申请号:2012103127448 申请日:20120829
2018-04-06	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/324 申请公布日:20121128
2014-05-28	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101701192624 IPC(主分类):H01L 21/324 专利申请号:2012103127448 变更事项:申请人变更前权利人:上海宏力半导体制造有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号变更后权利人:201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140430
2012-11-28	公开	公开

共 50 条

[1]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

杜在凯 ;

周文斌 ;

张磊 .

中国专利 :CN108598002B ,2018-09-28

[2]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

吴小利 .

中国专利 :CN102593179A ,2012-07-18

[3]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

金廷澔 .

中国专利 :CN101393870A ,2009-03-25

[4]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

李东勋 .

中国专利 :CN1399319A ,2003-02-26

[5]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

李宰圭 .

中国专利 :CN100435353C ,2004-04-28

[6]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN102931235B ,2013-02-13

[7]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

李文荣 .

中国专利 :CN101477952A ,2009-07-08

[8]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

凌龙 .

中国专利 :CN103208452A ,2013-07-17

[9]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

郑大燮 .

中国专利 :CN111933693B ,2020-11-13

[10]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

金大荣 .

中国专利 :CN101383326A ,2009-03-11

← 1 2 3 4 5 →