MOS晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810135593.7

申请日：

2008-09-05

公开(公告)号：

CN101383326A

公开(公告)日：

2009-03-11

发明(设计)人：

金大荣

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L218242

IPC分类号：

H01L218238 H01L27108 H01L27092

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司

代理人：

章社杲;张英

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-05-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-03-23	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101075676996 IPC(主分类):H01L 21/8242 专利申请号:2008101355937 公开日:20090311
2009-03-11	公开	公开

共 50 条

[1]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

李东勋 .

中国专利 :CN1399319A ,2003-02-26

[2]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

李宰圭 .

中国专利 :CN100435353C ,2004-04-28

[3]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN102931235B ,2013-02-13

[4]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

李文荣 .

中国专利 :CN101477952A ,2009-07-08

[5]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

杜在凯 ;

周文斌 ;

张磊 .

中国专利 :CN108598002B ,2018-09-28

[6]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

凌龙 .

中国专利 :CN103208452A ,2013-07-17

[7]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

吴小利 .

中国专利 :CN102593179A ,2012-07-18

[8]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

金廷澔 .

中国专利 :CN101393870A ,2009-03-25

[9]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

郑大燮 .

中国专利 :CN111933693B ,2020-11-13

[10]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN103367158B ,2013-10-23

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