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MOS晶体管及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202011093599.X
申请日：
2020-10-14
公开(公告)号：
CN111933693B
公开(公告)日：
2020-11-13
发明(设计)人：
郑大燮
申请人：
申请人地址：
210046 江苏省南京市栖霞区迈皋桥创业园科技研发基地寅春路18号-H1105
IPC主分类号：
H01L2908
IPC分类号：
H01L2978
H01L21336
代理机构：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人：
曹廷廷
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-01-01 | 授权 | 授权 |
| 2020-12-01 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/08 申请日:20201014 |
| 2020-11-13 | 公开 | 公开 |