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MOS晶体管及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201810461527.2
申请日：
2018-05-15
公开(公告)号：
CN108598002B
公开(公告)日：
2018-09-28
发明(设计)人：
杜在凯
周文斌
张磊
申请人：
申请人地址：
430205 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
IPC主分类号：
H01L21336
IPC分类号：
H01L2128
H01L29423
H01L2978
代理机构：
上海专利商标事务所有限公司 31100
代理人：
陈力奕
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2018-09-28 | 公开 | 公开 |
| 2019-06-28 | 授权 | 授权 |
| 2018-10-26 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20180515 |