具有超结结构的平面型功率MOSFET器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110210968.3

申请日：

2011-07-26

公开(公告)号：

CN102270663B

公开(公告)日：

2011-12-07

发明(设计)人：

朱袁正叶鹏

申请人：

申请人地址：

214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号无锡（滨湖）国家传感信息中心启航大厦8楼

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2910 H01L21336

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所 32104

代理人：

曹祖良

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-01-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101174912588 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2011102109683 申请日:20110726
2013-01-23	授权	授权
2013-04-03	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101558597784 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL2011102109683 变更事项:专利权人变更前权利人:无锡新洁能功率半导体有限公司变更后权利人:无锡新洁能股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号无锡(滨湖)国家传感信息中心启航大厦8楼变更后权利人:214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号(与华清路交叉口)无锡(滨湖)国家信息传感中心-B1号楼东侧第2层登记生效日:20130311
2011-12-07	公开	公开

共 50 条

[1]

具有超结结构的平面型功率MOSFET器件 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN202205755U ,2012-04-25

[2]

一种具有超结结构的平面型功率MOSFET器件及其制造方法 [P].

陈利 ;

陈彬 .

中国专利 :CN113690317A ,2021-11-23

[3]

平面型功率MOS器件及其制造方法 [P].

殷允超 ;

丁磊 .

中国专利 :CN103779415B ,2014-05-07

[4]

功率MOSFET器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN102437188A ,2012-05-02

[5]

具有超结结构的半导体器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

李宗青 ;

丁磊 .

中国专利 :CN101826554A ,2010-09-08

[6]

具有超结结构的半导体器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

李宗清 .

中国专利 :CN102420250B ,2012-04-18

[7]

一种超结结构的功率器件及其制造方法 [P].

曾爱平 .

中国专利 :CN110600534A ,2019-12-20

[8]

一种具有超结结构的半导体器件及其制造方法 [P].

尹玉春 .

中国专利 :CN114388624A ,2022-04-22

[9]

功率MOSFET器件及其制造方法 [P].

张军亮 ;

刘琦 ;

张园园 ;

徐西昌 .

中国专利 :CN110797263A ,2020-02-14

[10]

一种具有超结结构的半导体器件及其制造方法 [P].

尹玉春 .

中国专利 :CN114388622A ,2022-04-22

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