一种具有超结结构的平面型功率MOSFET器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110956390.X

申请日：

2021-08-19

公开(公告)号：

CN113690317A

公开(公告)日：

2021-11-23

发明(设计)人：

陈利陈彬

申请人：

申请人地址：

361011 福建省厦门市湖里区万翔国际商务中心1694号2#南楼705单元

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L2332 H01L21336

代理机构：

东莞市卓易专利代理事务所(普通合伙) 44777

代理人：

魏昕

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20210819
2021-11-23	公开	公开

共 50 条

[1]

具有超结结构的平面型功率MOSFET器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN102270663B ,2011-12-07

[2]

具有超结结构的平面型功率MOSFET器件 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN202205755U ,2012-04-25

[3]

一种超结结构的功率器件及其制造方法 [P].

曾爱平 .

中国专利 :CN110600534A ,2019-12-20

[4]

平面型功率MOS器件及其制造方法 [P].

殷允超 ;

丁磊 .

中国专利 :CN103779415B ,2014-05-07

[5]

具有超结结构的半导体器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

李宗青 ;

丁磊 .

中国专利 :CN101826554A ,2010-09-08

[6]

具有超结结构的半导体器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

李宗清 .

中国专利 :CN102420250B ,2012-04-18

[7]

功率MOSFET器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN102437188A ,2012-05-02

[8]

一种超结结构的功率器件 [P].

曾爱平 .

中国专利 :CN210723036U ,2020-06-09

[9]

一种具有超结结构的半导体器件及其制造方法 [P].

尹玉春 .

中国专利 :CN114388622A ,2022-04-22

[10]

一种具有超结结构的半导体器件及其制造方法 [P].

尹玉春 .

中国专利 :CN114388624A ,2022-04-22

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