一种超结结构的功率器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910838078.3

申请日：

2019-09-05

公开(公告)号：

CN110600534A

公开(公告)日：

2019-12-20

发明(设计)人：

曾爱平

申请人：

申请人地址：

528000 广东省佛山市禅城区汾江中路41号303房

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2941 H01L21336 H01L2978

代理机构：

深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414

代理人：

汪霞

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-01-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20190905
2019-12-20	公开	公开

共 50 条

[1]

一种超结结构的功率器件 [P].

曾爱平 .

中国专利 :CN210723036U ,2020-06-09

[2]

具有超结结构的平面型功率MOSFET器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN102270663B ,2011-12-07

[3]

具有超结结构的功率器件及其制造方法 [P].

唐纳德·R·迪斯尼 ;

邢正人 .

中国专利 :CN101982873A ,2011-03-02

[4]

一种具有超结结构的平面型功率MOSFET器件及其制造方法 [P].

陈利 ;

陈彬 .

中国专利 :CN113690317A ,2021-11-23

[5]

用于功率器件的超结结构及制造方法 [P].

约瑟夫·A·叶季纳科 ;

李在吉 ;

张浩铁 ;

尹钟晚 ;

普拉韦恩·穆拉利德哈伦·谢诺 ;

克里斯托夫·L·雷克塞尔 ;

金昌郁 ;

李宗宪 ;

詹森·M·希格斯 ;

德韦恩·S·赖希尔 ;

乔尔勒·夏普 ;

王琦 ;

金龙燮 ;

李廷吉 ;

马克·L·赖尼希默 ;

郑镇营 .

中国专利 :CN101868856A ,2010-10-20

[6]

用于功率器件的超结结构及制造方法 [P].

约瑟夫·A·叶季纳科 ;

克里斯托夫·L·雷克塞尔 ;

马克·L·赖尼希默 ;

普拉韦恩·穆拉利德哈伦·谢诺 ;

李在吉 ;

哈姆扎·耶尔马兹 ;

尹钟晩 ;

德韦恩·S·赖希尔 ;

潘南西 ;

罗德尼·S·里德利 ;

哈罗德·海登赖希 .

中国专利 :CN103503155A ,2014-01-08

[7]

具有超结结构的半导体器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

李宗青 ;

丁磊 .

中国专利 :CN101826554A ,2010-09-08

[8]

具有超结结构的半导体器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

李宗清 .

中国专利 :CN102420250B ,2012-04-18

[9]

一种具有超结结构的半导体器件及其制造方法 [P].

尹玉春 .

中国专利 :CN114388622A ,2022-04-22

[10]

一种具有超结结构的半导体器件及其制造方法 [P].

尹玉春 .

中国专利 :CN114388624A ,2022-04-22

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