具有超结结构的功率器件及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201010292133.2
申请日
2010-09-26
公开(公告)号
CN101982873A
公开(公告)日
2011-03-02
发明(设计)人
唐纳德·R·迪斯尼 邢正人
申请人
申请人地址
611731 四川省成都市高新西区出口加工区(西区)科新路8号
IPC主分类号
H01L21336
IPC分类号
H01L2978 H01L2906
代理机构
成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214
代理人
徐宏;詹永斌
法律状态
公开
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共 50 条
[1]
用于功率器件的超结结构及制造方法 [P]. 
约瑟夫·A·叶季纳科 ;
李在吉 ;
张浩铁 ;
尹钟晚 ;
普拉韦恩·穆拉利德哈伦·谢诺 ;
克里斯托夫·L·雷克塞尔 ;
金昌郁 ;
李宗宪 ;
詹森·M·希格斯 ;
德韦恩·S·赖希尔 ;
乔尔勒·夏普 ;
王琦 ;
金龙燮 ;
李廷吉 ;
马克·L·赖尼希默 ;
郑镇营 .
中国专利 :CN101868856A ,2010-10-20
[2]
用于功率器件的超结结构及制造方法 [P]. 
约瑟夫·A·叶季纳科 ;
克里斯托夫·L·雷克塞尔 ;
马克·L·赖尼希默 ;
普拉韦恩·穆拉利德哈伦·谢诺 ;
李在吉 ;
哈姆扎·耶尔马兹 ;
尹钟晩 ;
德韦恩·S·赖希尔 ;
潘南西 ;
罗德尼·S·里德利 ;
哈罗德·海登赖希 .
中国专利 :CN103503155A ,2014-01-08
[3]
一种超结结构的功率器件及其制造方法 [P]. 
曾爱平 .
中国专利 :CN110600534A ,2019-12-20
[4]
一种具有超结结构的功率器件及其制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN109411529B ,2019-03-01
[5]
具有超结结构的横向功率器件及制作方法 [P]. 
魏星 ;
夏超 ;
狄增峰 ;
方子韦 .
中国专利 :CN103745995A ,2014-04-23
[6]
半导体功率器件的超结结构及其制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108110042A ,2018-06-01
[7]
半导体功率器件的超结结构及其制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108091683A ,2018-05-29
[8]
一种超结结构的功率器件 [P]. 
曾爱平 .
中国专利 :CN210723036U ,2020-06-09
[9]
超结功率器件及其制造方法 [P]. 
赵圣哲 ;
马万里 .
中国专利 :CN107871664A ,2018-04-03
[10]
超结功率器件及其制造方法 [P]. 
杨东林 ;
陈文高 ;
刘侠 .
中国专利 :CN110400833A ,2019-11-01