用于功率器件的超结结构及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280020540.5

申请日：

2012-04-26

公开(公告)号：

CN103503155A

公开(公告)日：

2014-01-08

发明(设计)人：

约瑟夫·A·叶季纳科克里斯托夫·L·雷克塞尔马克·L·赖尼希默普拉韦恩·穆拉利德哈伦·谢诺李在吉哈姆扎·耶尔马兹尹钟晩德韦恩·S·赖希尔潘南西罗德尼·S·里德利哈罗德·海登赖希

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L29872

IPC分类号：

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

余刚;吴孟秋

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-30	授权	授权
2014-01-08	公开	公开
2018-05-11	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 29/872 变更事项:申请人变更前:飞兆半导体公司变更后:飞兆半导体公司变更事项:地址变更前:美国加利福尼亚州变更后:美国亚利桑那州
2014-05-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582445179 IPC(主分类):H01L 29/872 专利申请号:2012800205405 申请日:20120426

共 50 条

[1]

用于功率器件的超结结构及制造方法 [P].

约瑟夫·A·叶季纳科 ;

李在吉 ;

张浩铁 ;

尹钟晚 ;

普拉韦恩·穆拉利德哈伦·谢诺 ;

克里斯托夫·L·雷克塞尔 ;

金昌郁 ;

李宗宪 ;

詹森·M·希格斯 ;

德韦恩·S·赖希尔 ;

乔尔勒·夏普 ;

王琦 ;

金龙燮 ;

李廷吉 ;

马克·L·赖尼希默 ;

郑镇营 .

中国专利 :CN101868856A ,2010-10-20

[2]

具有超结结构的功率器件及其制造方法 [P].

唐纳德·R·迪斯尼 ;

邢正人 .

中国专利 :CN101982873A ,2011-03-02

[3]

一种超结结构的功率器件及其制造方法 [P].

曾爱平 .

中国专利 :CN110600534A ,2019-12-20

[4]

超结结构及超结器件 [P].

周翔 .

中国专利 :CN112993007A ,2021-06-18

[5]

超结结构及超结器件 [P].

周翔 .

中国专利 :CN112993007B ,2025-01-14

[6]

一种超结结构的功率器件 [P].

曾爱平 .

中国专利 :CN210723036U ,2020-06-09

[7]

具有超结结构的平面型功率MOSFET器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN102270663B ,2011-12-07

[8]

半导体功率器件的超结结构及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108110042A ,2018-06-01

[9]

半导体功率器件的超结结构及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108091683A ,2018-05-29

[10]

可提升超结结构雪崩耐量的功率器件及制备方法 [P].

李梦豪 ;

邓小社 ;

杨飞 ;

朱阳军 .

中国专利 :CN117423723A ,2024-01-19

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