可提升超结结构雪崩耐量的功率器件及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311621213.1

申请日：

2023-11-29

公开(公告)号：

CN117423723A

公开(公告)日：

2024-01-19

发明(设计)人：

李梦豪邓小社杨飞朱阳军

申请人：

芯长征微电子制造（山东）有限公司

申请人地址：

264300 山东省威海市荣成市崂山南路788号

IPC主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/739 H01L21/331 H01L21/336

代理机构：

无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228

代理人：

冯智文

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

山东省威海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-06	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/06申请日:20231129
2024-01-19	公开	公开

共 50 条

[1]

一种提高功率器件雪崩耐量的方法 [P].

王素 ;

屈志军 .

中国专利 :CN121218663A ,2025-12-26

[2]

一种超结结构的功率器件 [P].

曾爱平 .

中国专利 :CN210723036U ,2020-06-09

[3]

用于功率器件的超结结构及制造方法 [P].

约瑟夫·A·叶季纳科 ;

克里斯托夫·L·雷克塞尔 ;

马克·L·赖尼希默 ;

普拉韦恩·穆拉利德哈伦·谢诺 ;

李在吉 ;

哈姆扎·耶尔马兹 ;

尹钟晩 ;

德韦恩·S·赖希尔 ;

潘南西 ;

罗德尼·S·里德利 ;

哈罗德·海登赖希 .

中国专利 :CN103503155A ,2014-01-08

[4]

一种超结结构的功率器件及其制造方法 [P].

曾爱平 .

中国专利 :CN110600534A ,2019-12-20

[5]

功率器件雪崩耐量测试系统 [P].

依志强 ;

李强 .

中国专利 :CN212159991U ,2020-12-15

[6]

改善雪崩耐量的超结MOS器件及制备方法、芯片 [P].

原一帆 .

中国专利 :CN118866943A ,2024-10-29

[7]

改善雪崩耐量的超结MOS器件及制备方法、芯片 [P].

原一帆 .

中国专利 :CN118866943B ,2024-12-06

[8]

功率器件雪崩耐量测试系统及测试方法 [P].

依志强 ;

李强 .

中国专利 :CN111381144B ,2024-08-23

[9]

功率器件雪崩耐量测试系统及测试方法 [P].

依志强 ;

李强 .

中国专利 :CN111381144A ,2020-07-07

[10]

具有超结结构的平面型功率MOSFET器件 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN202205755U ,2012-04-25

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