一种具有超结结构的半导体器件及其制造方法

被引：0

申请号：

CN202210153467.4

申请日：

2022-02-18

公开(公告)号：

CN114388624A

公开(公告)日：

2022-04-22

发明(设计)人：

尹玉春

申请人：

申请人地址：

201306 上海市浦东新区海洋一路333号1号楼、2号楼

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226

代理人：

李明;赵吉阳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-22	公开	公开
2022-05-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20220218

共 50 条

[1]

具有超结结构的半导体器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

李宗青 ;

丁磊 .

中国专利 :CN101826554A ,2010-09-08

[2]

具有超结结构的半导体器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

李宗清 .

中国专利 :CN102420250B ,2012-04-18

[3]

一种具有超结结构的半导体器件 [P].

尹玉春 .

中国专利 :CN216698377U ,2022-06-07

[4]

一种具有超结结构的半导体器件及其制造方法 [P].

尹玉春 .

中国专利 :CN114388622A ,2022-04-22

[5]

一种具有超结结构的半导体器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

李宗青 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN102208447A ,2011-10-05

[6]

具有超结结构的半导体器件 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

李宗青 ;

丁磊 .

中国专利 :CN201673912U ,2010-12-15

[7]

具有超结结构的半导体器件 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

李宗青 .

中国专利 :CN202423296U ,2012-09-05

[8]

具有超结结构的半导体器件及其制造方法 [P].

山口仁 ;

牧野友厚 ;

服部佳晋 ;

冈田京子 .

中国专利 :CN1744329A ,2006-03-08

[9]

一种具有超结结构的半导体器件 [P].

尹玉春 .

中国专利 :CN216698378U ,2022-06-07

[10]

一种具有超结结构的半导体器件 [P].

朱袁正 ;

李宗青 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN202042487U ,2011-11-16

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