具有超结结构的半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010170432.9

申请日：

2010-05-04

公开(公告)号：

CN101826554A

公开(公告)日：

2010-09-08

发明(设计)人：

朱袁正叶鹏李宗青丁磊

申请人：

申请人地址：

214131 江苏省无锡市滨湖区华清路太湖科技中心8楼

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所 32104

代理人：

曹祖良

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-05-30	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101362728812 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2010101704329 公开日:20100908
2010-10-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101010887207 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2010101704329 申请日:20100504
2010-09-08	公开	公开

共 50 条

[1]

具有超结结构的半导体器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

李宗清 .

中国专利 :CN102420250B ,2012-04-18

[2]

具有超结结构的半导体器件 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

李宗青 ;

丁磊 .

中国专利 :CN201673912U ,2010-12-15

[3]

一种具有超结结构的半导体器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

李宗青 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN102208447A ,2011-10-05

[4]

具有超结结构的半导体器件 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

李宗青 .

中国专利 :CN202423296U ,2012-09-05

[5]

具有超结结构的半导体器件及其制造方法 [P].

山口仁 ;

牧野友厚 ;

服部佳晋 ;

冈田京子 .

中国专利 :CN1744329A ,2006-03-08

[6]

一种具有超结结构的半导体器件及其制造方法 [P].

尹玉春 .

中国专利 :CN114388622A ,2022-04-22

[7]

一种具有超结结构的半导体器件及其制造方法 [P].

尹玉春 .

中国专利 :CN114388624A ,2022-04-22

[8]

一种具有超结结构的半导体器件 [P].

朱袁正 ;

李宗青 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN202042487U ,2011-11-16

[9]

具有超结结构的半导体器件及其制造方法 [P].

柴田巧 ;

山内庄一 .

中国专利 :CN100583455C ,2008-11-19

[10]

具有超结结构的半导体器件及其制造方法 [P].

宫岛健 .

中国专利 :CN101013724A ,2007-08-08

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