一种低栅极电荷功率器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310734227.4

申请日：

2013-12-27

公开(公告)号：

CN103730506A

公开(公告)日：

2014-04-16

发明(设计)人：

王海峰张瑞丽石夏雨邱涛陈祖银

申请人：

申请人地址：

310018 浙江省杭州市下沙经济技术开发区20号大街199号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423 H01L21336 H01L2128

代理机构：

杭州杭诚专利事务所有限公司 33109

代理人：

尉伟敏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-04-16	公开	公开
2014-05-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582221832 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2013107342274 申请日:20131227
2017-06-06	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101752699189 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2013107342274 申请公布日:20140416

共 50 条

[1]

一种低栅极电荷的超级结功率器件 [P].

丁磊 .

中国专利 :CN210607253U ,2020-05-22

[2]

一种低栅极电荷深沟槽功率MOS器件及其制造方法 [P].

秦旭光 ;

殷允超 .

中国专利 :CN101719516A ,2010-06-02

[3]

一种降低栅极电荷的平面栅功率器件 [P].

薛璐 ;

何军 ;

张海涛 .

中国专利 :CN208489199U ,2019-02-12

[4]

低栅极电荷低导通电阻深沟槽功率MOSFET器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

秦旭光 ;

丁磊 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN102263133B ,2011-11-30

[5]

一种平面栅极功率器件及其制造方法 [P].

胡兴正 ;

曹瑞彬 ;

薛璐 .

中国专利 :CN117954479B ,2024-05-28

[6]

一种平面栅极功率器件及其制造方法 [P].

胡兴正 ;

曹瑞彬 ;

薛璐 .

中国专利 :CN117954479A ,2024-04-30

[7]

低栅极电荷低导通电阻深沟槽功率MOSFET器件 [P].

朱袁正 ;

秦旭光 ;

丁磊 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN202205757U ,2012-04-25

[8]

低栅极电荷沟槽功率MOS器件及制造方法 [P].

罗清威 ;

房宝青 ;

左燕丽 .

中国专利 :CN103426925B ,2013-12-04

[9]

一种功率器件栅极集成电阻、功率器件及其制备方法 [P].

吴振兴 .

中国专利 :CN116666380B ,2024-03-12

[10]

一种功率开关器件栅极电荷的测量系统及方法 [P].

刘大勇 ;

杜睿 .

中国专利 :CN114563679A ,2022-05-31

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