一种平面型场控功率器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010611776.9

申请日：

2010-12-29

公开(公告)号：

CN102142375A

公开(公告)日：

2011-08-03

发明(设计)人：

陈伟

申请人：

申请人地址：

200233 上海市徐汇区宜山路810号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21331 H01L2128 H01L21265

代理机构：

上海兆丰知识产权代理事务所(有限合伙) 31241

代理人：

章蔚强

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-08-03	公开	公开
2011-09-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101113518710 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2010106117769 申请日:20101229
2012-09-19	授权	授权

共 50 条

[1]

平面型功率MOS器件及其制造方法 [P].

殷允超 ;

丁磊 .

中国专利 :CN103779415B ,2014-05-07

[2]

一种平面栅极功率器件及其制造方法 [P].

胡兴正 ;

曹瑞彬 ;

薛璐 .

中国专利 :CN117954479A ,2024-04-30

[3]

一种平面栅极功率器件及其制造方法 [P].

胡兴正 ;

曹瑞彬 ;

薛璐 .

中国专利 :CN117954479B ,2024-05-28

[4]

平面型单硅双金属层功率器件及制造方法 [P].

吴纬国 .

中国专利 :CN1897304A ,2007-01-17

[5]

平面型VDMOS的制造方法 [P].

邱海亮 ;

闻正锋 ;

马万里 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN106298525A ,2017-01-04

[6]

一种平面型VDMOS器件及其制造方法 [P].

马万里 .

中国专利 :CN105226081A ,2016-01-06

[7]

一种平面型功率器件及其制备方法 [P].

黄汇钦 ;

吴龙江 .

中国专利 :CN115148818A ,2022-10-04

[8]

一种平面型功率器件及其制备方法 [P].

黄汇钦 ;

吴龙江 .

中国专利 :CN115148818B ,2025-11-04

[9]

一种栅源侧台保护的功率器件及其制造方法 [P].

王新 .

中国专利 :CN102280483A ,2011-12-14

[10]

平面型功率MOS器件 [P].

殷允超 ;

丁磊 .

中国专利 :CN203721733U ,2014-07-16

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