一种平面型功率器件及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202210711362.6
申请日
2022-06-22
公开(公告)号
CN115148818B
公开(公告)日
2025-11-04
发明(设计)人
黄汇钦 吴龙江
申请人
天狼芯半导体(成都)有限公司
申请人地址
610000 四川省成都市高新区吉泰路5路88号香年广场T3栋4201室
IPC主分类号
H10D30/60
IPC分类号
H10D62/10 H10D30/01
代理机构
深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414
代理人
阳方玉
法律状态
授权
国省代码
江苏省 常州市
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共 50 条
[1]
一种平面型功率器件及其制备方法 [P]. 
黄汇钦 ;
吴龙江 .
中国专利 :CN115148818A ,2022-10-04
[2]
一种平面型功率MOS器件及其制备方法 [P]. 
黄汇钦 ;
吴龙江 .
中国专利 :CN115224129B ,2024-05-24
[3]
一种平面型功率器件、制备方法以及芯片 [P]. 
黄汇钦 ;
吴龙江 ;
曾健忠 .
中国专利 :CN115440797A ,2022-12-06
[4]
平面型功率MOS器件及其制造方法 [P]. 
殷允超 ;
丁磊 .
中国专利 :CN103779415B ,2014-05-07
[5]
一种平面型的IGBT半导体功率器件 [P]. 
陈利 ;
陈译 ;
陈彬 .
中国专利 :CN212750900U ,2021-03-19
[6]
一种功率器件及其制备方法 [P]. 
林信南 ;
刘美华 ;
刘岩军 .
中国专利 :CN119545817B ,2025-11-28
[7]
一种功率器件及其制备方法 [P]. 
林信南 ;
刘美华 ;
刘岩军 .
中国专利 :CN119545817A ,2025-02-28
[8]
平面型功率MOS器件 [P]. 
殷允超 ;
丁磊 .
中国专利 :CN203721733U ,2014-07-16
[9]
功率器件及其制备方法 [P]. 
崔卫刚 .
中国专利 :CN120529633B ,2025-10-10
[10]
功率器件及其制备方法 [P]. 
崔卫刚 .
中国专利 :CN120529633A ,2025-08-22