学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审
功率器件及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202511017700.6
申请日
:
2025-07-22
公开(公告)号
:
CN120529633B
公开(公告)日
:
2025-10-10
发明(设计)人
:
崔卫刚
申请人
:
杭州富芯半导体有限公司
申请人地址
:
311418 浙江省杭州市富阳区灵桥镇滨富大道135号(滨富合作区)
IPC主分类号
:
H10D84/01
IPC分类号
:
H10D84/80
代理机构
:
广州三环专利商标代理有限公司 44202
代理人
:
黄盼
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
浙江省 杭州市
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-09-09
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/01申请日:20250722
2025-10-10
授权
授权
2025-08-22
公开
公开
共 50 条
[1]
功率器件及其制备方法
[P].
崔卫刚
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
杭州富芯半导体有限公司
杭州富芯半导体有限公司
崔卫刚
.
中国专利
:CN120529633A
,2025-08-22
[2]
功率器件及其制备方法
[P].
连建伟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
连建伟
;
林志东
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
林志东
.
中国专利
:CN118800799A
,2024-10-18
[3]
功率器件及其制备方法
[P].
王朋
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
华虹半导体制造(无锡)有限公司
华虹半导体制造(无锡)有限公司
王朋
;
程光
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
华虹半导体制造(无锡)有限公司
华虹半导体制造(无锡)有限公司
程光
;
张港
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
华虹半导体制造(无锡)有限公司
华虹半导体制造(无锡)有限公司
张港
;
孙文镇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
华虹半导体制造(无锡)有限公司
华虹半导体制造(无锡)有限公司
孙文镇
;
刘秀勇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
华虹半导体制造(无锡)有限公司
华虹半导体制造(无锡)有限公司
刘秀勇
.
中国专利
:CN120282506A
,2025-07-08
[4]
半导体功率器件及其制备方法
[P].
杨天翠
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
杨天翠
;
李伟聪
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
李伟聪
.
中国专利
:CN120282480B
,2025-10-03
[5]
半导体功率器件及其制备方法
[P].
杨天翠
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
杨天翠
;
李伟聪
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
李伟聪
.
中国专利
:CN120282480A
,2025-07-08
[6]
可调的SGT功率器件及其制备方法
[P].
杨天翠
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
杨天翠
;
李伟聪
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
李伟聪
.
中国专利
:CN118099193A
,2024-05-28
[7]
MOS功率器件及其制备方法
[P].
秦博
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
秦博
;
吴海平
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
吴海平
.
中国专利
:CN114695530A
,2022-07-01
[8]
一种功率器件的制备方法及功率器件
[P].
高学
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海功成半导体科技有限公司
上海功成半导体科技有限公司
高学
;
柴展
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海功成半导体科技有限公司
上海功成半导体科技有限公司
柴展
;
罗杰馨
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海功成半导体科技有限公司
上海功成半导体科技有限公司
罗杰馨
.
中国专利
:CN119730284A
,2025-03-28
[9]
功率器件及其制备方法
[P].
莫丽仪
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
广东芯粤能半导体有限公司
广东芯粤能半导体有限公司
莫丽仪
;
相奇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
广东芯粤能半导体有限公司
广东芯粤能半导体有限公司
相奇
;
杨先啓
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
广东芯粤能半导体有限公司
广东芯粤能半导体有限公司
杨先啓
;
郭东恺
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
广东芯粤能半导体有限公司
广东芯粤能半导体有限公司
郭东恺
;
杨文敏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
广东芯粤能半导体有限公司
广东芯粤能半导体有限公司
杨文敏
;
黄秀洪
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
广东芯粤能半导体有限公司
广东芯粤能半导体有限公司
黄秀洪
.
中国专利
:CN121099641A
,2025-12-09
[10]
功率器件及其制备方法
[P].
杨旭刚
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳市创飞芯源半导体有限公司
深圳市创飞芯源半导体有限公司
杨旭刚
;
田月姣
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳市创飞芯源半导体有限公司
深圳市创飞芯源半导体有限公司
田月姣
.
中国专利
:CN120916460A
,2025-11-07
←
1
2
3
4
5
→