功率器件及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202511017700.6
申请日
2025-07-22
公开(公告)号
CN120529633B
公开(公告)日
2025-10-10
发明(设计)人
崔卫刚
申请人
杭州富芯半导体有限公司
申请人地址
311418 浙江省杭州市富阳区灵桥镇滨富大道135号(滨富合作区)
IPC主分类号
H10D84/01
IPC分类号
H10D84/80
代理机构
广州三环专利商标代理有限公司 44202
代理人
黄盼
法律状态
实质审查的生效
国省代码
浙江省 杭州市
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共 50 条
[1]
功率器件及其制备方法 [P]. 
崔卫刚 .
中国专利 :CN120529633A ,2025-08-22
[2]
功率器件及其制备方法 [P]. 
连建伟 ;
林志东 .
中国专利 :CN118800799A ,2024-10-18
[3]
功率器件及其制备方法 [P]. 
王朋 ;
程光 ;
张港 ;
孙文镇 ;
刘秀勇 .
中国专利 :CN120282506A ,2025-07-08
[4]
半导体功率器件及其制备方法 [P]. 
杨天翠 ;
李伟聪 .
中国专利 :CN120282480B ,2025-10-03
[5]
半导体功率器件及其制备方法 [P]. 
杨天翠 ;
李伟聪 .
中国专利 :CN120282480A ,2025-07-08
[6]
可调的SGT功率器件及其制备方法 [P]. 
杨天翠 ;
李伟聪 .
中国专利 :CN118099193A ,2024-05-28
[7]
MOS功率器件及其制备方法 [P]. 
秦博 ;
吴海平 .
中国专利 :CN114695530A ,2022-07-01
[8]
一种功率器件的制备方法及功率器件 [P]. 
高学 ;
柴展 ;
罗杰馨 .
中国专利 :CN119730284A ,2025-03-28
[9]
功率器件及其制备方法 [P]. 
莫丽仪 ;
相奇 ;
杨先啓 ;
郭东恺 ;
杨文敏 ;
黄秀洪 .
中国专利 :CN121099641A ,2025-12-09
[10]
功率器件及其制备方法 [P]. 
杨旭刚 ;
田月姣 .
中国专利 :CN120916460A ,2025-11-07