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功率器件及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510326920.0
申请日：
2025-03-19
公开(公告)号：
CN120282506A
公开(公告)日：
2025-07-08
发明(设计)人：
王朋 程光 张港 孙文镇 刘秀勇
申请人：
华虹半导体制造（无锡）有限公司 华虹半导体（无锡）有限公司
申请人地址：
214142 江苏省无锡市新吴区新洲路30-1号
IPC主分类号：
H10D62/00
IPC分类号：
H10D62/10 H10D64/27 H10D64/01 H10D64/20 H10D30/01 H10D30/60 H01L23/528 H01L23/522 H01L21/768
代理机构：
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：
崔莹
法律状态：
公开
国省代码：
江苏省 无锡市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-07-08 公开 公开
2025-07-25 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 62/00申请日:20250319
共 50 条
[1]
功率器件及其制备方法 [P]. 
崔卫刚 .
中国专利 :CN120529633B ,2025-10-10
[2]
功率器件及其制备方法 [P]. 
崔卫刚 .
中国专利 :CN120529633A ,2025-08-22
[3]
半导体功率器件及其制备方法 [P]. 
余开庆 ;
曾祥 ;
彭天智 ;
杨文敏 ;
张正 ;
谭宇璐 ;
李恬恬 .
中国专利 :CN121057264A ,2025-12-02
[4]
半导体功率器件及其制备方法 [P]. 
余开庆 ;
曾祥 ;
彭天智 ;
杨文敏 ;
张正 ;
谭宇璐 ;
李恬恬 .
中国专利 :CN121194496A ,2025-12-23
[5]
GaN功率器件及其制备方法 [P]. 
王骁 ;
张育民 .
中国专利 :CN120111942A ,2025-06-06
[6]
功率器件及其制备方法 [P]. 
余开庆 ;
曾祥 ;
相奇 ;
彭天智 ;
李恬恬 .
中国专利 :CN120769540B ,2025-12-26
[7]
功率器件及其制备方法 [P]. 
李理 .
中国专利 :CN118983333A ,2024-11-19
[8]
功率器件及其制备方法 [P]. 
李理 .
中国专利 :CN118983333B ,2024-12-31
[9]
功率器件及其制备方法 [P]. 
余开庆 ;
曾祥 ;
相奇 ;
彭天智 ;
李恬恬 .
中国专利 :CN120769540A ,2025-10-10
[10]
功率器件及其制备方法 [P]. 
连建伟 ;
林志东 .
中国专利 :CN118800799A ,2024-10-18
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