半导体功率器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511573580.8

申请日：

2025-10-31

公开(公告)号：

CN121057264A

公开(公告)日：

2025-12-02

发明(设计)人：

余开庆曾祥彭天智杨文敏张正谭宇璐李恬恬

申请人：

广东芯粤能半导体有限公司

申请人地址：

511464 广东省广州市南沙区正翔路10号

IPC主分类号：

H10D30/66

IPC分类号：

H10D62/10 H10D64/00 H10D30/01

代理机构：

上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286

代理人：

武娜;黄海霞

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

广东省广州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/66申请日:20251031
2025-12-02	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体功率器件及其制备方法 [P].

余开庆 ;

曾祥 ;

彭天智 ;

杨文敏 ;

张正 ;

谭宇璐 ;

李恬恬 .

中国专利 :CN121194496A ,2025-12-23

[2]

半导体功率器件的终端结构及其制备方法 [P].

孙博韬 ;

张园览 ;

张志朋 .

中国专利 :CN119364827A ,2025-01-24

[3]

半导体功率器件的终端结构及其制备方法 [P].

孙博韬 ;

修德琦 ;

张园览 .

中国专利 :CN120980929A ,2025-11-18

[4]

半导体功率器件及其制备方法 [P].

郑忠庆 .

中国专利 :CN109427885A ,2019-03-05

[5]

半导体功率器件及其制备方法 [P].

杨天翠 ;

李伟聪 .

中国专利 :CN120282480B ,2025-10-03

[6]

半导体功率器件及其制备方法 [P].

杨天翠 ;

李伟聪 .

中国专利 :CN120282480A ,2025-07-08

[7]

半导体功率器件及其制备方法 [P].

朱辉 ;

肖秀光 ;

吴海平 .

中国专利 :CN109309121B ,2019-02-05

[8]

半导体功率器件及其制备方法 [P].

代萌 .

中国专利 :CN114038915A ,2022-02-11

[9]

半导体功率器件及其制备方法 [P].

杨天翠 ;

李伟聪 .

中国专利 :CN120111924A ,2025-06-06

[10]

半导体功率器件及其制备方法 [P].

温家平 ;

杨荣 ;

王治丹 .

中国专利 :CN118630038A ,2024-09-10

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