半导体功率器件的终端结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510952801.6

申请日：

2025-07-10

公开(公告)号：

CN120980929A

公开(公告)日：

2025-11-18

发明(设计)人：

孙博韬修德琦张园览

申请人：

清纯半导体（宁波）有限公司

申请人地址：

315336 浙江省宁波市慈溪市杭州湾新区玉海东路136号42#栋

IPC主分类号：

H10D62/10

IPC分类号：

H10D62/60 H10D62/00 H10D30/60 H10D30/01

代理机构：

北京聿宏知识产权代理有限公司 11372

代理人：

吴大建;杨娟

法律状态：

公开

国省代码：

浙江省杭州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-18	公开	公开
2025-12-05	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 62/10申请日:20250710

共 50 条

[1]

半导体功率器件的终端结构及其制备方法 [P].

孙博韬 ;

张园览 ;

张志朋 .

中国专利 :CN119364827A ,2025-01-24

[2]

半导体功率器件及其制备方法 [P].

余开庆 ;

曾祥 ;

彭天智 ;

杨文敏 ;

张正 ;

谭宇璐 ;

李恬恬 .

中国专利 :CN121057264A ,2025-12-02

[3]

半导体功率器件、半导体功率器件的终端结构及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108039361A ,2018-05-15

[4]

半导体功率器件、半导体功率器件的终端结构及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN107994067A ,2018-05-04

[5]

半导体功率器件的终端结构、半导体功率器件及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108063159A ,2018-05-22

[6]

半导体功率器件及其制备方法 [P].

余开庆 ;

曾祥 ;

彭天智 ;

杨文敏 ;

张正 ;

谭宇璐 ;

李恬恬 .

中国专利 :CN121194496A ,2025-12-23

[7]

半导体功率器件的终端结构及其制造方法 [P].

周鸣涛 ;

禹小军 .

中国专利 :CN119300440A ,2025-01-10

[8]

半导体功率器件的终端结构及其制造方法 [P].

龚轶 ;

刘伟 ;

毛振东 ;

徐真逸 .

中国专利 :CN113937149A ,2022-01-14

[9]

半导体功率器件的终端结构及其制造方法 [P].

高文玉 ;

孙娜 ;

陈智勇 .

中国专利 :CN106803515A ,2017-06-06

[10]

半导体功率器件的终端结构及其制造方法 [P].

周鸣涛 ;

禹小军 .

中国专利 :CN119300440B ,2025-10-10

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