半导体功率器件的终端结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411382940.1

申请日：

2024-09-30

公开(公告)号：

CN119300440B

公开(公告)日：

2025-10-10

发明(设计)人：

周鸣涛禹小军

申请人：

民华微（上海）电子科技有限公司

申请人地址：

200439 上海市宝山区逸仙路1328号6号楼3楼

IPC主分类号：

H10D62/10

IPC分类号：

H10D64/20 H10D8/01 H10D8/00

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-01-10	公开	公开
2025-01-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 62/10申请日:20240930
2025-10-10	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体功率器件的终端结构及其制造方法 [P].

周鸣涛 ;

禹小军 .

中国专利 :CN119300440A ,2025-01-10

[2]

半导体功率器件的终端结构及其制造方法 [P].

龚轶 ;

刘伟 ;

毛振东 ;

徐真逸 .

中国专利 :CN113937149A ,2022-01-14

[3]

半导体功率器件的终端结构及其制造方法 [P].

高文玉 ;

孙娜 ;

陈智勇 .

中国专利 :CN106803515A ,2017-06-06

[4]

半导体功率器件、半导体功率器件的终端结构及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108039361A ,2018-05-15

[5]

半导体功率器件、半导体功率器件的终端结构及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN107994067A ,2018-05-04

[6]

半导体功率器件的终端结构、半导体功率器件及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108063159A ,2018-05-22

[7]

半导体功率器件的终端保护结构及其制造方法 [P].

禹小军 ;

杭华 ;

刘伟 .

中国专利 :CN117253903B ,2024-10-29

[8]

半导体功率器件的终端结构及其制备方法 [P].

孙博韬 ;

张园览 ;

张志朋 .

中国专利 :CN119364827A ,2025-01-24

[9]

半导体功率器件的终端结构及其制备方法 [P].

孙博韬 ;

修德琦 ;

张园览 .

中国专利 :CN120980929A ,2025-11-18

[10]

半导体功率器件终端结构 [P].

龚轶 ;

刘磊 ;

刘伟 ;

王鑫 .

中国专利 :CN112802888A ,2021-05-14

← 1 2 3 4 5 →