半导体功率器件的终端保护结构及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311218614.2
申请日
2023-09-20
公开(公告)号
CN117253903B
公开(公告)日
2024-10-29
发明(设计)人
禹小军 杭华 刘伟
申请人
民华微(上海)电子科技有限公司
申请人地址
200439 上海市宝山区逸仙路1328号6号楼3楼
IPC主分类号
H01L29/06
IPC分类号
H01L21/329 H01L29/861
代理机构
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
郭四华
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体功率器件的终端保护结构的制造方法 [P]. 
禹小军 ;
杭华 ;
刘伟 .
中国专利 :CN117153863B ,2024-12-03
[2]
沟槽型半导体功率器件及其制造方法和终端保护结构 [P]. 
丁磊 ;
侯宏伟 .
中国专利 :CN103151381A ,2013-06-12
[3]
半导体功率器件的终端结构及其制造方法 [P]. 
龚轶 ;
刘伟 ;
毛振东 ;
徐真逸 .
中国专利 :CN113937149A ,2022-01-14
[4]
半导体功率器件的终端结构及其制造方法 [P]. 
周鸣涛 ;
禹小军 .
中国专利 :CN119300440A ,2025-01-10
[5]
半导体功率器件的终端结构及其制造方法 [P]. 
高文玉 ;
孙娜 ;
陈智勇 .
中国专利 :CN106803515A ,2017-06-06
[6]
半导体功率器件的终端结构及其制造方法 [P]. 
周鸣涛 ;
禹小军 .
中国专利 :CN119300440B ,2025-10-10
[7]
一种沟槽型半导体功率器件及其制造方法和终端保护结构 [P]. 
丁磊 ;
侯宏伟 .
中国专利 :CN102832234B ,2012-12-19
[8]
半导体功率器件及其制造方法 [P]. 
许天赐 ;
曾大杰 .
中国专利 :CN119545849A ,2025-02-28
[9]
半导体功率器件及其制造方法 [P]. 
刘磊 ;
毛振东 ;
徐真逸 ;
龚轶 .
中国专利 :CN113937150A ,2022-01-14
[10]
半导体功率器件、半导体功率器件的终端结构及其制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108039361A ,2018-05-15