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半导体功率器件的终端结构及其制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010670054.4
申请日
:
2020-07-13
公开(公告)号
:
CN113937149A
公开(公告)日
:
2022-01-14
发明(设计)人
:
龚轶
刘伟
毛振东
徐真逸
申请人
:
申请人地址
:
215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20栋405-406
IPC主分类号
:
H01L2906
IPC分类号
:
H01L2940
H01L21265
代理机构
:
北京品源专利代理有限公司 11332
代理人
:
孟金喆
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-02-01
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20200713
2022-01-14
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体功率器件的终端结构及其制造方法
[P].
周鸣涛
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
民华微(上海)电子科技有限公司
民华微(上海)电子科技有限公司
周鸣涛
;
禹小军
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
民华微(上海)电子科技有限公司
民华微(上海)电子科技有限公司
禹小军
.
中国专利
:CN119300440A
,2025-01-10
[2]
半导体功率器件的终端结构及其制造方法
[P].
高文玉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
高文玉
;
孙娜
论文数:
0
引用数:
0
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0
孙娜
;
陈智勇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈智勇
.
中国专利
:CN106803515A
,2017-06-06
[3]
半导体功率器件的终端结构及其制造方法
[P].
周鸣涛
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
民华微(上海)电子科技有限公司
民华微(上海)电子科技有限公司
周鸣涛
;
禹小军
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
民华微(上海)电子科技有限公司
民华微(上海)电子科技有限公司
禹小军
.
中国专利
:CN119300440B
,2025-10-10
[4]
半导体功率器件的终端保护结构及其制造方法
[P].
禹小军
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
民华微(上海)电子科技有限公司
民华微(上海)电子科技有限公司
禹小军
;
杭华
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
民华微(上海)电子科技有限公司
民华微(上海)电子科技有限公司
杭华
;
刘伟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
民华微(上海)电子科技有限公司
民华微(上海)电子科技有限公司
刘伟
.
中国专利
:CN117253903B
,2024-10-29
[5]
半导体功率器件、半导体功率器件的终端结构及其制作方法
[P].
不公告发明人
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
不公告发明人
.
中国专利
:CN108039361A
,2018-05-15
[6]
半导体功率器件、半导体功率器件的终端结构及其制作方法
[P].
不公告发明人
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
不公告发明人
.
中国专利
:CN107994067A
,2018-05-04
[7]
半导体功率器件的终端结构、半导体功率器件及其制作方法
[P].
不公告发明人
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
不公告发明人
.
中国专利
:CN108063159A
,2018-05-22
[8]
半导体功率器件的终端保护结构的制造方法
[P].
禹小军
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
民华微(上海)电子科技有限公司
民华微(上海)电子科技有限公司
禹小军
;
杭华
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
民华微(上海)电子科技有限公司
民华微(上海)电子科技有限公司
杭华
;
刘伟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
民华微(上海)电子科技有限公司
民华微(上海)电子科技有限公司
刘伟
.
中国专利
:CN117153863B
,2024-12-03
[9]
半导体功率器件的终端结构及其制备方法
[P].
孙博韬
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
清纯半导体(宁波)有限公司
清纯半导体(宁波)有限公司
孙博韬
;
张园览
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
清纯半导体(宁波)有限公司
清纯半导体(宁波)有限公司
张园览
;
张志朋
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
清纯半导体(宁波)有限公司
清纯半导体(宁波)有限公司
张志朋
.
中国专利
:CN119364827A
,2025-01-24
[10]
半导体功率器件的终端结构及其制备方法
[P].
孙博韬
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
清纯半导体(宁波)有限公司
清纯半导体(宁波)有限公司
孙博韬
;
修德琦
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
清纯半导体(宁波)有限公司
清纯半导体(宁波)有限公司
修德琦
;
张园览
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
清纯半导体(宁波)有限公司
清纯半导体(宁波)有限公司
张园览
.
中国专利
:CN120980929A
,2025-11-18
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