半导体功率器件的终端结构及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010670054.4
申请日
2020-07-13
公开(公告)号
CN113937149A
公开(公告)日
2022-01-14
发明(设计)人
龚轶 刘伟 毛振东 徐真逸
申请人
申请人地址
215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20栋405-406
IPC主分类号
H01L2906
IPC分类号
H01L2940 H01L21265
代理机构
北京品源专利代理有限公司 11332
代理人
孟金喆
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体功率器件的终端结构及其制造方法 [P]. 
周鸣涛 ;
禹小军 .
中国专利 :CN119300440A ,2025-01-10
[2]
半导体功率器件的终端结构及其制造方法 [P]. 
高文玉 ;
孙娜 ;
陈智勇 .
中国专利 :CN106803515A ,2017-06-06
[3]
半导体功率器件的终端结构及其制造方法 [P]. 
周鸣涛 ;
禹小军 .
中国专利 :CN119300440B ,2025-10-10
[4]
半导体功率器件的终端保护结构及其制造方法 [P]. 
禹小军 ;
杭华 ;
刘伟 .
中国专利 :CN117253903B ,2024-10-29
[5]
半导体功率器件、半导体功率器件的终端结构及其制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108039361A ,2018-05-15
[6]
半导体功率器件、半导体功率器件的终端结构及其制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN107994067A ,2018-05-04
[7]
半导体功率器件的终端结构、半导体功率器件及其制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108063159A ,2018-05-22
[8]
半导体功率器件的终端保护结构的制造方法 [P]. 
禹小军 ;
杭华 ;
刘伟 .
中国专利 :CN117153863B ,2024-12-03
[9]
半导体功率器件的终端结构及其制备方法 [P]. 
孙博韬 ;
张园览 ;
张志朋 .
中国专利 :CN119364827A ,2025-01-24
[10]
半导体功率器件的终端结构及其制备方法 [P]. 
孙博韬 ;
修德琦 ;
张园览 .
中国专利 :CN120980929A ,2025-11-18