半导体功率器件、半导体功率器件的终端结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711299190.1

申请日：

2017-12-08

公开(公告)号：

CN108039361A

公开(公告)日：

2018-05-15

发明(设计)人：

不公告发明人

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市宝安区福永街道和平社区骏丰工业区A3栋一楼

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2978 H01L21336

代理机构：

深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419

代理人：

曹明兰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20171208
2021-11-16	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):H01L 29/06 申请公布日:20180515
2018-05-15	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体功率器件、半导体功率器件的终端结构及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN107994067A ,2018-05-04

[2]

半导体功率器件的终端结构、半导体功率器件及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108063159A ,2018-05-22

[3]

半导体功率器件的终端结构及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108054196B ,2018-05-18

[4]

半导体功率器件及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108110041A ,2018-06-01

[5]

半导体功率器件的终端结构及其制作方法 [P].

金锐 ;

郝夏敏 ;

和峰 ;

田宝华 ;

聂瑞芬 ;

刘江 ;

李翠 .

中国专利 :CN119342875B ,2025-04-29

[6]

半导体功率器件的终端结构及其制作方法 [P].

金锐 ;

郝夏敏 ;

和峰 ;

田宝华 ;

聂瑞芬 ;

刘江 ;

李翠 .

中国专利 :CN119342875A ,2025-01-21

[7]

半导体功率器件及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108054195A ,2018-05-18

[8]

半导体功率器件及其制作方法 [P].

钟树理 ;

陈宇 .

中国专利 :CN109243979B ,2019-01-18

[9]

一种功率半导体器件终端结构及功率半导体器件 [P].

张中华 ;

刘根 ;

方自力 ;

韩永乐 ;

王光明 ;

苗笑宇 .

中国专利 :CN106992207A ,2017-07-28

[10]

半导体功率器件的制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108054099A ,2018-05-18

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