半导体功率器件的终端结构及其制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411890627.9
申请日
2024-12-20
公开(公告)号
CN119342875B
公开(公告)日
2025-04-29
发明(设计)人
金锐 郝夏敏 和峰 田宝华 聂瑞芬 刘江 李翠
申请人
北京怀柔实验室 北京智慧能源研究院
申请人地址
101400 北京市怀柔区杨雁东一路8号院5号楼319室
IPC主分类号
H10D62/10
IPC分类号
H10D62/60 H01L21/223 H01L21/306 H01L21/3065
代理机构
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240
代理人
王露玲
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体功率器件的终端结构及其制作方法 [P]. 
金锐 ;
郝夏敏 ;
和峰 ;
田宝华 ;
聂瑞芬 ;
刘江 ;
李翠 .
中国专利 :CN119342875A ,2025-01-21
[2]
半导体功率器件、半导体功率器件的终端结构及其制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108039361A ,2018-05-15
[3]
半导体功率器件、半导体功率器件的终端结构及其制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN107994067A ,2018-05-04
[4]
半导体功率器件的终端结构、半导体功率器件及其制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108063159A ,2018-05-22
[5]
半导体功率器件的终端结构及其制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108054196B ,2018-05-18
[6]
半导体功率器件及其制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108054195A ,2018-05-18
[7]
功率半导体器件的终端及其制作方法 [P]. 
肖秀光 ;
孙超 .
中国专利 :CN102005468B ,2011-04-06
[8]
半导体功率器件及其制作方法 [P]. 
朱辉 ;
肖秀光 ;
吴海平 .
中国专利 :CN108933167B ,2018-12-04
[9]
半导体功率器件及其制作方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108110041A ,2018-06-01
[10]
半导体功率器件及其制作方法 [P]. 
林永发 ;
张家豪 .
中国专利 :CN104078502A ,2014-10-01