半导体功率器件及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201710619937.0
申请日
2017-07-26
公开(公告)号
CN109309121B
公开(公告)日
2019-02-05
发明(设计)人
朱辉 肖秀光 吴海平
申请人
申请人地址
518119 广东省深圳市大鹏新区葵涌街道延安路1号
IPC主分类号
H01L2940
IPC分类号
H01L2128
代理机构
深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325
代理人
姚章国
法律状态
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共 50 条
[1]
半导体功率器件及其制备方法 [P]. 
郑忠庆 .
中国专利 :CN109427885A ,2019-03-05
[2]
半导体功率器件及其制备方法 [P]. 
余开庆 ;
曾祥 ;
彭天智 ;
杨文敏 ;
张正 ;
谭宇璐 ;
李恬恬 .
中国专利 :CN121057264A ,2025-12-02
[3]
半导体功率器件及其制备方法 [P]. 
杨天翠 ;
李伟聪 .
中国专利 :CN120282480B ,2025-10-03
[4]
半导体功率器件及其制备方法 [P]. 
杨天翠 ;
李伟聪 .
中国专利 :CN120282480A ,2025-07-08
[5]
半导体功率器件及其制备方法 [P]. 
代萌 .
中国专利 :CN114038915A ,2022-02-11
[6]
半导体功率器件及其制备方法 [P]. 
余开庆 ;
曾祥 ;
彭天智 ;
杨文敏 ;
张正 ;
谭宇璐 ;
李恬恬 .
中国专利 :CN121194496A ,2025-12-23
[7]
半导体功率器件 [P]. 
安荷·叭剌 ;
弗兰茨娃·赫尔伯特 ;
丹尼尔·S·恩济 .
中国专利 :CN101490847B ,2009-07-22
[8]
半导体功率器件及其制备方法 [P]. 
杨天翠 ;
李伟聪 .
中国专利 :CN120111924A ,2025-06-06
[9]
半导体功率器件及其制备方法 [P]. 
温家平 ;
杨荣 ;
王治丹 .
中国专利 :CN118630038A ,2024-09-10
[10]
半导体功率器件及其制备方法 [P]. 
翟海龙 ;
史文华 ;
温家平 .
中国专利 :CN118116975B ,2025-09-02