半导体功率器件及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201710743927.8
申请日
2017-08-25
公开(公告)号
CN109427885A
公开(公告)日
2019-03-05
发明(设计)人
郑忠庆
申请人
申请人地址
315000 浙江省宁波市保税区南区庐山西路155号
IPC主分类号
H01L2978
IPC分类号
H01L21336 H01L29739 H01L21331
代理机构
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201
代理人
赵天月
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种半导体功率器件及其制备方法 [P]. 
丁磊 ;
侯宏伟 .
中国专利 :CN110047831A ,2019-07-23
[2]
一种半导体功率器件及其制备方法 [P]. 
阳平 .
中国专利 :CN110349907A ,2019-10-18
[3]
半导体功率器件及其制备方法 [P]. 
代萌 .
中国专利 :CN114038915A ,2022-02-11
[4]
一种半导体功率器件的制备方法 [P]. 
张雨 ;
刘厚超 ;
俱帅 ;
马一洁 ;
苏亚兵 .
中国专利 :CN120201766A ,2025-06-24
[5]
半导体功率器件的制造方法及半导体功率器件 [P]. 
龚轶 ;
毛振东 ;
刘伟 ;
袁愿林 ;
王鑫 .
中国专利 :CN112864019A ,2021-05-28
[6]
功率半导体器件及其制备方法 [P]. 
郑忠庆 .
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[7]
半导体功率器件及其制备方法 [P]. 
余开庆 ;
曾祥 ;
彭天智 ;
杨文敏 ;
张正 ;
谭宇璐 ;
李恬恬 .
中国专利 :CN121057264A ,2025-12-02
[8]
半导体功率器件及其制备方法 [P]. 
杨天翠 ;
李伟聪 .
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[9]
半导体功率器件及其制备方法 [P]. 
杨天翠 ;
李伟聪 .
中国专利 :CN120282480A ,2025-07-08
[10]
半导体功率器件及其制备方法 [P]. 
朱辉 ;
肖秀光 ;
吴海平 .
中国专利 :CN109309121B ,2019-02-05