半导体功率器件的制造方法及半导体功率器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911194101.6

申请日：

2019-11-28

公开(公告)号：

CN112864019A

公开(公告)日：

2021-05-28

发明(设计)人：

龚轶毛振东刘伟袁愿林王鑫

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20栋405-406

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128 H01L29423 H01L2978

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

孟金喆

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-28	公开	公开
2021-06-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20191128

共 50 条

[1]

半导体功率器件 [P].

安荷·叭剌 ;

弗兰茨娃·赫尔伯特 ;

丹尼尔·S·恩济 .

中国专利 :CN101490847B ,2009-07-22

[2]

静电放电保护结构、半导体功率器件与半导体功率器件的制造方法 [P].

郭大川 ;

胡家玮 ;

盖婉玉 .

美国专利 :CN120417488A ,2025-08-01

[3]

半导体功率器件的制造方法 [P].

龚轶 ;

刘伟 ;

刘磊 ;

袁愿林 ;

王睿 .

中国专利 :CN112908851B ,2021-06-04

[4]

功率半导体器件的制造方法 [P].

尹振忠 ;

施凯 ;

张娟 ;

高斌 .

中国专利 :CN119108272A ,2024-12-10

[5]

半导体功率器件的制造方法 [P].

许天赐 ;

曾大杰 .

中国专利 :CN119767718A ,2025-04-04

[6]

半导体功率器件 [P].

袁愿林 ;

刘伟 ;

毛振东 ;

刘磊 .

中国专利 :CN110970502A ,2020-04-07

[7]

半导体功率器件 [P].

马强 .

中国专利 :CN106972060A ,2017-07-21

[8]

半导体功率器件 [P].

马强 .

中国专利 :CN206564256U ,2017-10-17

[9]

半导体功率器件 [P].

袁愿林 ;

毛振东 ;

刘伟 ;

王睿 .

中国专利 :CN109994549A ,2019-07-09

[10]

半导体功率器件 [P].

龚轶 ;

毛振东 ;

刘伟 ;

徐真逸 .

中国专利 :CN114975576B ,2025-08-26

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