半导体功率器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411904144.X

申请日：

2024-12-23

公开(公告)号：

CN119767718A

公开(公告)日：

2025-04-04

发明(设计)人：

许天赐曾大杰

申请人：

南通尚阳通集成电路有限公司

申请人地址：

226001 江苏省南通市崇川路79号国际青创园1号楼18层

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/60 H10D64/27 H10D62/10

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省南通市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-04	公开	公开
2025-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20241223

共 50 条

[1]

半导体功率器件的制造方法及半导体功率器件 [P].

龚轶 ;

毛振东 ;

刘伟 ;

袁愿林 ;

王鑫 .

中国专利 :CN112864019A ,2021-05-28

[2]

用于制造半导体功率器件的方法 [P].

G·阿雷纳 ;

C·多纳托 ;

C·M·卡马勒里 ;

A·马格里 .

中国专利 :CN101258588B ,2008-09-03

[3]

纵向功率半导体器件的制造方法 [P].

罗小蓉 ;

周坤 ;

范叶 ;

范远航 ;

蒋永恒 ;

王沛 ;

王骁玮 ;

罗尹春 ;

蔡金勇 ;

张波 .

中国专利 :CN102945799B ,2013-02-27

[4]

半导体功率器件及其制造方法 [P].

J·班达里 ;

G·帕特勒 ;

M·罗施 ;

W·舒斯特雷德 ;

S·维塔诺夫 .

中国专利 :CN114914302A ,2022-08-16

[5]

半导体功率器件及其制造方法 [P].

史波 ;

曾丹 ;

敖利波 ;

吴佳蒙 .

中国专利 :CN112086502A ,2020-12-15

[6]

半导体功率器件的制造方法 [P].

龚轶 ;

刘伟 ;

刘磊 ;

袁愿林 ;

王睿 .

中国专利 :CN112908851B ,2021-06-04

[7]

半导体功率器件的制造方法 [P].

刘伟 ;

徐真逸 ;

毛振东 ;

王鑫 .

中国专利 :CN112271134B ,2021-01-26

[8]

半导体功率器件的制造方法 [P].

毛振东 ;

徐真逸 ;

刘伟 ;

刘磊 .

中国专利 :CN114496917A ,2022-05-13

[9]

半导体功率器件以及组装半导体功率器件的方法 [P].

J-M·F·雷尼斯 ;

J·P·H·法夫雷 ;

R·A·拉卡班尼 .

中国专利 :CN107567657A ,2018-01-09

[10]

半导体功率器件的制造方法 [P].

葛薇薇 .

中国专利 :CN112151599B ,2020-12-29

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