半导体功率器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011033143.4

申请日：

2020-09-27

公开(公告)号：

CN112151599B

公开(公告)日：

2020-12-29

发明(设计)人：

葛薇薇

申请人：

申请人地址：

310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇振华路298号西港发展中心西4幢9楼901-23室

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L218232

代理机构：

北京成创同维知识产权代理有限公司 11449

代理人：

蔡纯;李镇江

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-23	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 29/06 变更事项:申请人变更前:杰华特微电子（杭州）有限公司变更后:杰华特微电子股份有限公司变更事项:地址变更前:310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇振华路298号西港发展中心西4幢9楼901-23室变更后:310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇振华路298号西港发展中心西4幢9楼901-23室
2020-12-29	公开	公开
2022-07-19	授权	授权
2021-01-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20200927

共 50 条

[1]

半导体功率器件的制造方法 [P].

毛振东 ;

徐真逸 ;

刘伟 ;

刘磊 .

中国专利 :CN114496917A ,2022-05-13

[2]

半导体功率器件的制造方法及半导体功率器件 [P].

龚轶 ;

毛振东 ;

刘伟 ;

袁愿林 ;

王鑫 .

中国专利 :CN112864019A ,2021-05-28

[3]

半导体功率器件的制造方法 [P].

龚轶 ;

刘伟 ;

刘磊 ;

袁愿林 ;

王睿 .

中国专利 :CN112908851B ,2021-06-04

[4]

半导体功率器件的制造方法 [P].

刘伟 ;

徐真逸 ;

毛振东 ;

王鑫 .

中国专利 :CN112271134B ,2021-01-26

[5]

半导体功率器件的制造方法 [P].

许天赐 ;

曾大杰 .

中国专利 :CN119767718A ,2025-04-04

[6]

一种半导体功率器件的制造方法及半导体功率器件 [P].

杜卫星 ;

杨凯 .

中国专利 :CN121240483A ,2025-12-30

[7]

用于制造半导体功率器件的方法 [P].

G·阿雷纳 ;

C·多纳托 ;

C·M·卡马勒里 ;

A·马格里 .

中国专利 :CN101258588B ,2008-09-03

[8]

纵向功率半导体器件的制造方法 [P].

罗小蓉 ;

周坤 ;

范叶 ;

范远航 ;

蒋永恒 ;

王沛 ;

王骁玮 ;

罗尹春 ;

蔡金勇 ;

张波 .

中国专利 :CN102945799B ,2013-02-27

[9]

用于制造半导体功率器件的方法 [P].

铃木干昌 ;

则武千景 .

中国专利 :CN1426093A ,2003-06-25

[10]

包括附加迹线的半导体功率器件及制造半导体功率器件的方法 [P].

J·P·H·法夫雷 ;

J-M·F·雷尼斯 ;

R·里瓦 ;

B·J·C·杜特留德特东克 .

中国专利 :CN108028242A ,2018-05-11

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