用于制造半导体功率器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02155731.4

申请日：

2002-12-09

公开(公告)号：

CN1426093A

公开(公告)日：

2003-06-25

发明(设计)人：

铃木干昌则武千景

申请人：

申请人地址：

日本爱知

IPC主分类号：

H01L21302

IPC分类号：

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

王永建

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-11-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/302 申请日:20021209 授权公告日:20060802 终止日期:20181209
2003-09-10	实质审查的生效	实质审查的生效
2003-06-25	公开	公开
2006-08-02	授权	授权

共 50 条

[1]

功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

U·维穆拉帕蒂 ;

J·沃贝基 ;

T·维克斯特罗 ;

T·斯蒂亚斯尼 .

:CN120677849A ,2025-09-19

[2]

用于制造半导体功率器件的方法 [P].

G·阿雷纳 ;

C·多纳托 ;

C·M·卡马勒里 ;

A·马格里 .

中国专利 :CN101258588B ,2008-09-03

[3]

功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P].

C·奎斯特-马特 ;

D·巴贡 ;

D·沃尔夫 .

中国专利 :CN114450783A ,2022-05-06

[4]

功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P].

C·奎斯特-马特 ;

D·巴贡 ;

D·沃尔夫 .

德国专利 :CN114450783B ,2025-11-11

[5]

半导体功率器件的制造方法及半导体功率器件 [P].

龚轶 ;

毛振东 ;

刘伟 ;

袁愿林 ;

王鑫 .

中国专利 :CN112864019A ,2021-05-28

[6]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

砂村润 ;

井上尚也 ;

金子贵昭 .

中国专利 :CN103247683A ,2013-08-14

[7]

纵向功率半导体器件的制造方法 [P].

罗小蓉 ;

周坤 ;

范叶 ;

范远航 ;

蒋永恒 ;

王沛 ;

王骁玮 ;

罗尹春 ;

蔡金勇 ;

张波 .

中国专利 :CN102945799B ,2013-02-27

[8]

包括附加迹线的半导体功率器件及制造半导体功率器件的方法 [P].

J·P·H·法夫雷 ;

J-M·F·雷尼斯 ;

R·里瓦 ;

B·J·C·杜特留德特东克 .

中国专利 :CN108028242A ,2018-05-11

[9]

用于功率半导体器件的制造方法和功率半导体器件 [P].

S·沃思 ;

L·克诺尔 .

:CN119422224A ,2025-02-11

[10]

用于功率半导体器件的制造方法和功率半导体器件 [P].

S·沃思 ;

L·克诺尔 .

:CN120077756A ,2025-05-30

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