平面型单硅双金属层功率器件及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610035992.7

申请日：

2006-06-16

公开(公告)号：

CN1897304A

公开(公告)日：

2007-01-17

发明(设计)人：

吴纬国

申请人：

申请人地址：

510663广东省广州市经济技术开发区科学城光谱中路

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2940 H01L2704 H01L21336 H01L2128 H01L21822

代理机构：

广州市红荔专利代理有限公司

代理人：

李彦孚

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-03-14	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-01-17	公开	公开
2008-11-26	授权	授权
2013-08-07	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101503121998 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL2006100359927 申请日:20060616 授权公告日:20081126 终止日期:20120616

共 50 条

[1]

平面型单硅双金属层功率器件 [P].

吴纬国 .

中国专利 :CN200979882Y ,2007-11-21

[2]

平面型功率MOS器件及其制造方法 [P].

殷允超 ;

丁磊 .

中国专利 :CN103779415B ,2014-05-07

[3]

一种平面型场控功率器件的制造方法 [P].

陈伟 .

中国专利 :CN102142375A ,2011-08-03

[4]

一种平面栅极功率器件及其制造方法 [P].

胡兴正 ;

曹瑞彬 ;

薛璐 .

中国专利 :CN117954479A ,2024-04-30

[5]

一种平面栅极功率器件及其制造方法 [P].

胡兴正 ;

曹瑞彬 ;

薛璐 .

中国专利 :CN117954479B ,2024-05-28

[6]

平面型功率MOS器件 [P].

殷允超 ;

丁磊 .

中国专利 :CN203721733U ,2014-07-16

[7]

功率器件的金属层制造方法 [P].

李晴 ;

张志明 ;

谭建兵 ;

马栋 ;

祝建 ;

李志国 .

中国专利 :CN120769550A ,2025-10-10

[8]

一种平面型VDMOS器件及其制造方法 [P].

马万里 .

中国专利 :CN105226081A ,2016-01-06

[9]

平面型VDMOS的制造方法 [P].

邱海亮 ;

闻正锋 ;

马万里 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN106298525A ,2017-01-04

[10]

平面型VDMOS器件制作方法 [P].

赵圣哲 .

中国专利 :CN106158961B ,2016-11-23

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