平面型单硅双金属层功率器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN200620061169.9

申请日：

2006-06-27

公开(公告)号：

CN200979882Y

公开(公告)日：

2007-11-21

发明(设计)人：

吴纬国

申请人：

申请人地址：

510663广东省广州市广州经济技术开发区科学城光谱中路

IPC主分类号：

H01L2704

IPC分类号：

H01L23522 H01L2978 H01L2940

代理机构：

珠海智专专利商标代理有限公司

代理人：

张中

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-09-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101005906919 IPC(主分类):H01L 27/04 专利号:ZL2006200611699 申请日:20060627 授权公告日:20071121
2007-11-21	授权	授权

共 50 条

[1]

平面型单硅双金属层功率器件及制造方法 [P].

吴纬国 .

中国专利 :CN1897304A ,2007-01-17

[2]

包括金属层的功率器件 [P].

李峯龙 ;

康博熙 ;

崔杜溱 ;

朴庆锡 ;

T·内耶尔 ;

杨正佑 .

中国专利 :CN112993036A ,2021-06-18

[3]

一种平面型功率器件及其制备方法 [P].

黄汇钦 ;

吴龙江 .

中国专利 :CN115148818A ,2022-10-04

[4]

一种平面型功率器件及其制备方法 [P].

黄汇钦 ;

吴龙江 .

中国专利 :CN115148818B ,2025-11-04

[5]

平面功率器件 [P].

夏志平 ;

叶青青 ;

陈洪雷 ;

赵志涌 ;

朱晓彤 .

中国专利 :CN214411205U ,2021-10-15

[6]

叠层平面布局功率模块结构和功率器件 [P].

康玉慧 ;

宁圃奇 ;

回晓双 ;

李东润 ;

范涛 ;

王凯 .

中国专利 :CN117393548A ,2024-01-12

[7]

平面型热双金属感温元件绕制轴芯 [P].

王德耀 .

中国专利 :CN206347022U ,2017-07-21

[8]

一种平面型功率MOS器件及其制备方法 [P].

黄汇钦 ;

吴龙江 .

中国专利 :CN115224129B ,2024-05-24

[9]

一种平面型功率器件、制备方法以及芯片 [P].

黄汇钦 ;

吴龙江 ;

曾健忠 .

中国专利 :CN115440797A ,2022-12-06

[10]

一种平面型的IGBT半导体功率器件 [P].

陈利 ;

陈译 ;

陈彬 .

中国专利 :CN212750900U ,2021-03-19

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