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一种低栅‑漏电荷的沟槽功率MOS器件
被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN201621083924.3
申请日：
2016-09-27
公开(公告)号：
CN206116407U
公开(公告)日：
2017-04-19
发明(设计)人：
袁力鹏
徐吉程
范玮
申请人：
申请人地址：
710018 陕西省西安市雁塔区永松路18号秋涛阁1幢40501室
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L29423
代理机构：
广州三环专利代理有限公司 44202
代理人：
郭永丽
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2017-04-19 | 授权 | 授权 |
| 2021-01-01 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 29/78 变更事项:专利权人 变更前:西安华羿微电子股份有限公司 变更后:华羿微电子股份有限公司 变更事项:地址 变更前:710000 陕西省西安市经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号 变更后:710000 陕西省西安市经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号 |
| 2018-03-02 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/78 登记生效日:20180207 变更事项:专利权人 变更前权利人:西安后羿半导体科技有限公司 变更后权利人:西安华羿微电子股份有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:710018 陕西省西安市雁塔区永松路18号秋涛阁1幢40501室 变更后权利人:710000 陕西省西安市经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号 |