一种沟槽栅IGBT半导体器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911005590.6

申请日：

2019-10-22

公开(公告)号：

CN110797405A

公开(公告)日：

2020-02-14

发明(设计)人：

不公告发明人

申请人：

申请人地址：

201899 上海市嘉定区环城路2222号1幢J

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L2906 H01L21331

代理机构：

南京纵横知识产权代理有限公司 32224

代理人：

朱远枫

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/739 申请日:20191022
2020-02-14	公开	公开

共 50 条

[1]

一种分裂栅沟槽功率半导体器件 [P].

苏元宏 ;

王亚飞 ;

王彦刚 ;

戴小平 ;

覃荣震 ;

罗海辉 .

中国专利 :CN112786695B ,2021-05-11

[2]

沟槽栅IGBT结构及半导体器件 [P].

胡钰祺 .

中国专利 :CN119133225B ,2025-03-18

[3]

沟槽栅IGBT结构及半导体器件 [P].

胡钰祺 .

中国专利 :CN119133225A ,2024-12-13

[4]

沟槽栅半导体器件及其制造方法 [P].

杨继业 ;

赵龙杰 ;

李昊 .

中国专利 :CN110739347A ,2020-01-31

[5]

一种沟槽栅IGBT [P].

俞义长 ;

戚丽娜 ;

张海泉 ;

井亚会 ;

赵善麒 .

中国专利 :CN211017085U ,2020-07-14

[6]

包含沟槽栅的半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

吴栋华 ;

石新欢 .

中国专利 :CN113903794A ,2022-01-07

[7]

沟槽栅半导体器件及其制造方法 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN121126804A ,2025-12-12

[8]

沟槽栅半导体器件及其制备方法 [P].

周旭 ;

王珏 ;

钟荣祥 ;

钟志鸿 ;

眭小超 .

中国专利 :CN110854022A ,2020-02-28

[9]

沟槽栅半导体器件及其制备方法 [P].

卢汉汉 ;

邱凯兵 .

中国专利 :CN114664931A ,2022-06-24

[10]

沟槽栅半导体器件及其制备方法 [P].

肖魁 ;

方冬 .

中国专利 :CN113644108A ,2021-11-12

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