沟槽栅半导体器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010390606.6

申请日：

2020-05-11

公开(公告)号：

CN113644108A

公开(公告)日：

2021-11-12

发明(设计)人：

肖魁方冬

申请人：

申请人地址：

401331 重庆市沙坪坝区西永大道25号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29739 H01L2978 H01L21336 H01L21331

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

汪洁丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20200511
2021-11-12	公开	公开

共 50 条

[1]

沟槽栅半导体器件及其制备方法 [P].

周旭 ;

王珏 ;

钟荣祥 ;

钟志鸿 ;

眭小超 .

中国专利 :CN110854022A ,2020-02-28

[2]

沟槽栅半导体器件及其制备方法 [P].

卢汉汉 ;

邱凯兵 .

中国专利 :CN114664931A ,2022-06-24

[3]

沟槽栅半导体器件及其制造方法 [P].

韩健 .

中国专利 :CN110190112A ,2019-08-30

[4]

沟槽栅半导体器件及其制造方法 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN121126804A ,2025-12-12

[5]

沟槽栅半导体器件及其制造方法 [P].

高博 ;

黄伯宁 ;

唐龙谷 ;

张毅 ;

周锋 ;

胡飞 .

中国专利 :CN116072712B ,2025-11-25

[6]

沟槽栅半导体器件及其制造方法 [P].

李昊 .

中国专利 :CN112701163A ,2021-04-23

[7]

沟槽－栅半导体器件及其制造方法 [P].

E·黄 ;

M·德罗尼斯 ;

M·J·希尔 ;

R·J·E·胡廷 .

中国专利 :CN1586010A ,2005-02-23

[8]

沟槽栅半导体器件及其制造方法 [P].

杨继业 ;

赵龙杰 ;

李昊 .

中国专利 :CN110739347A ,2020-01-31

[9]

沟槽栅半导体器件及其制造方法 [P].

李昊 .

中国专利 :CN112701164A ,2021-04-23

[10]

包含沟槽栅的半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

吴栋华 ;

石新欢 .

中国专利 :CN113903794A ,2022-01-07

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