沟槽栅半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110159701.X

申请日：

2021-02-05

公开(公告)号：

CN112701163A

公开(公告)日：

2021-04-23

发明(设计)人：

李昊

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29739 H01L2906 H01L21336 H01L21331

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20210205
2021-04-23	公开	公开

共 50 条

[1]

沟槽栅半导体器件及其制造方法 [P].

李昊 .

中国专利 :CN112701164A ,2021-04-23

[2]

沟槽栅半导体器件及其制造方法 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN121126804A ,2025-12-12

[3]

沟槽栅半导体器件及其制造方法 [P].

韩健 .

中国专利 :CN110190112A ,2019-08-30

[4]

沟槽栅半导体器件及其制造方法 [P].

高博 ;

黄伯宁 ;

唐龙谷 ;

张毅 ;

周锋 ;

胡飞 .

中国专利 :CN116072712B ,2025-11-25

[5]

沟槽－栅半导体器件及其制造方法 [P].

E·黄 ;

M·德罗尼斯 ;

M·J·希尔 ;

R·J·E·胡廷 .

中国专利 :CN1586010A ,2005-02-23

[6]

沟槽栅半导体器件及其制造方法 [P].

杨继业 ;

赵龙杰 ;

李昊 .

中国专利 :CN110739347A ,2020-01-31

[7]

沟槽栅半导体器件及制造方法 [P].

郑辉 ;

曾大杰 .

中国专利 :CN117542890B ,2025-09-26

[8]

沟槽栅半导体器件及制造方法 [P].

郑辉 ;

曾大杰 .

中国专利 :CN117542890A ,2024-02-09

[9]

沟槽栅半导体器件及制造方法 [P].

S·T·皮克 ;

P·拉特 .

中国专利 :CN1656610A ,2005-08-17

[10]

沟槽栅半导体器件的制造方法 [P].

汪莹萍 ;

缪进征 .

中国专利 :CN104465349B ,2015-03-25

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