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沟槽栅半导体器件及制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311425834.2
申请日：
2023-10-31
公开(公告)号：
CN117542890B
公开(公告)日：
2025-09-26
发明(设计)人：
郑辉
曾大杰
申请人：
深圳尚阳通科技股份有限公司
申请人地址：
518057 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区高新南一道008号创维大厦A1206
IPC主分类号：
H10D30/60
IPC分类号：
H10D62/10
H10D62/13
H10D62/17
H10D64/23
H01L21/28
H10D64/01
H10D30/01
代理机构：
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：
郭四华
法律状态：
授权
国省代码：
广东省
深圳市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-09-26 | 授权 | 授权 |
| 2024-02-09 | 公开 | 公开 |
| 2024-03-01 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20231031 |