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沟槽栅半导体器件及制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN03812179.4
申请日：
2003-05-21
公开(公告)号：
CN1656610A
公开(公告)日：
2005-08-17
发明(设计)人：
S·T·皮克
P·拉特
申请人：
申请人地址：
荷兰艾恩德霍芬
IPC主分类号：
H01L21336
IPC分类号：
H01L2978
H01L2906
代理机构：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人：
吴立明;王忠忠
法律状态：
专利权的终止
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2014-07-09 | 专利权的终止 | 未缴年费专利权终止 号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101583616787 IPC(主分类):H01L 21/336 专利号:ZL038121794 申请日:20030521 授权公告日:20081126 终止日期:20130521 |
| 2008-11-26 | 授权 | 授权 |
| 2005-10-12 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 |
| 2005-08-17 | 公开 | 公开 |
| 2007-11-21 | 专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 | 专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 变更事项:申请人 变更前权利人:皇家飞利浦电子股份有限公司 变更后权利人:NXP股份有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:荷兰艾恩德霍芬 变更后权利人:荷兰艾恩德霍芬 登记生效日:20071019 |