沟槽栅IGBT结构及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411579943.4

申请日：

2024-11-07

公开(公告)号：

CN119133225B

公开(公告)日：

2025-03-18

发明(设计)人：

胡钰祺

申请人：

芯联集成电路制造股份有限公司

申请人地址：

312000 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号

IPC主分类号：

H10D12/00

IPC分类号：

H10D64/27 H10D62/10

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

曹廷廷

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-31	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/739申请日:20241107
2024-12-13	公开	公开
2025-03-18	授权	授权

共 50 条

[1]

沟槽栅IGBT结构及半导体器件 [P].

胡钰祺 .

中国专利 :CN119133225A ,2024-12-13

[2]

一种沟槽栅IGBT半导体器件及其制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN110797405A ,2020-02-14

[3]

新型沟槽IGBT半导体器件 [P].

戚丽娜 ;

张景超 ;

井亚会 ;

俞义长 ;

赵善麒 .

中国专利 :CN215578580U ,2022-01-18

[4]

沟槽栅IGBT器件 [P].

陆佳顺 ;

孙磊 ;

陈译 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN223219397U ,2025-08-12

[5]

沟槽栅IGBT器件 [P].

梁利晓 ;

肖强 ;

朱利恒 ;

刘葳 ;

宁旭斌 .

中国专利 :CN112687654B ,2024-02-23

[6]

沟槽栅IGBT器件 [P].

梁利晓 ;

肖强 ;

朱利恒 ;

刘葳 ;

宁旭斌 .

中国专利 :CN112687654A ,2021-04-20

[7]

一种沟槽栅IGBT器件结构 [P].

许高潮 ;

薛璐 ;

张海涛 .

中国专利 :CN209104157U ,2019-07-12

[8]

沟槽栅半导体器件及制造方法 [P].

S·T·皮克 ;

P·拉特 .

中国专利 :CN1656610A ,2005-08-17

[9]

沟槽栅半导体器件及制造方法 [P].

郑辉 ;

曾大杰 .

中国专利 :CN117542890B ,2025-09-26

[10]

沟槽栅半导体器件及制造方法 [P].

郑辉 ;

曾大杰 .

中国专利 :CN117542890A ,2024-02-09

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